[发明专利]电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法

权利要求书

1.一种处理电阻式存储器单元的方法，其包括：

在层间电介质中的开口中保形地形成单元材料，使得在所述单元材料中形成接缝；

通过对所述接缝进行改性来形成导电通路；及

在所述单元材料及所述接缝上形成电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述接缝进行改性包含在所述接缝中形成细丝。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法包含在所述接缝中形成所述细丝之后加热所述细丝。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述细丝为细丝源材料。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含：

在所述开口中保形地形成所述单元材料，使得在所述接缝的底部与邻近所述开口的额外电极之间形成单元材料；且

形成所述导电通路不包含形成将所述接缝的所述底部耦合到底部电极的额外材料。

6.一种处理电阻式随机存取存储器RRAM单元的方法，其包括：

通过在层间电介质中的开口中保形地沉积单元材料来在所述单元材料中形成接缝；

通过对所述接缝进行改性来在所述单元材料中形成导电通路；及

在所述单元材料及所述接缝上形成电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中对所述接缝进行改性包含在所述接缝中形成细丝。

8.根据权利要求6到7中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含在所述开口中保形地沉积所述单元材料，使得在所述接缝的底部与邻近所述开口的额外电极之间形成单元材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述接缝的所述底部与所述额外电极之间仅形成单元材料。

10.根据权利要求6到7中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含在所述单元材料及所述接缝上形成所述电极之前移除所述单元材料的一部分。

11.一种处理电阻式存储器单元的方法，其包括：

在层间电介质中的开口中保形地形成电阻式存储器单元材料，使得在所述电阻式存储器单元材料中形成接缝；

在所述接缝中形成细丝；及

在所述电阻式存储器单元材料及细丝上形成电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法包含用不同于所述电阻式存储器单元材料的材料形成所述细丝。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法包含在所述接缝中形成所述细丝之后且在所述电阻式存储器单元材料及细丝上形成所述电极之前，使原子从所述细丝扩散到所述电阻式存储器单元材料中。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述方法包含通过加热所述细丝来使原子从所述细丝扩散。

15.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含在所述开口中保形地形成所述电阻式存储器单元材料，使得所述接缝不与邻近所述开口的额外电极接触。

16.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含在所述接缝中形成所述细丝，使得所述细丝完全填充所述接缝。

17.一种电阻式存储器单元，其包括：

层间电介质，其具有开口；

单元材料，其保形地形成于所述开口中；

导电通路，其在所述单元材料中；及

电极，其在所述单元材料及所述导电通路上。

18.根据权利要求17所述的电阻式存储器单元，其中所述导电通路包含细丝。

19.根据权利要求18所述的电阻式存储器单元，其中所述细丝为金属或金属氧化物。

20.根据权利要求17到19中任一权利要求所述的电阻式存储器单元，其中所述单元材料为金属氧化物。

21.根据权利要求17到19中任一权利要求所述的电阻式存储器单元，其中所述导电通路具有0.5纳米到5.0纳米的直径。

22.根据权利要求17到19中任一权利要求所述的电阻式存储器单元，其中所述开口具有10纳米到30纳米的直径。