[发明专利]基板清洗方法和基板清洗装置

权利要求书

1.一种基板清洗方法，其特征在于：

向附着有异物且配置于低压气氛中的基板喷雾与所述低压气氛相比为高压的气体，形成包含多个气体分子的团簇，

通过使该团簇不离子化就向所述基板碰撞，不使气体分子被掺杂到形成在所述基板上的膜或所述基板本身，促进所述异物和所述气体分子的一部分的化学反应，并且通过将所述团簇的动能传递给所述异物，来促进所述异物和所述气体分子的一部分的化学反应，

在所述团簇向所述基板碰撞时，加热所述基板。

2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

使配置在与所述基板不同的场所的冷却部捕捉从所述团簇所到达的所述基板被除去的所述异物。

3.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

对所述基板斜着喷雾所述高压的气体。

4.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

所述异物是自然氧化膜，所述气体是三氟化氯气体。

5.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

所述异物是有机物，所述气体是二氧化碳气体。

6.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

所述异物是金属，所述气体是卤化氢气体。

7.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

所述气体的喷雾时的压力是0.3MPa～2.0MPa中的任一压力。

8.一种基板清洗装置，其特征在于，包括：

收纳附着有异物的基板的内部是低压的气氛的处理室；和

气体喷雾部，其向所述基板喷射与所述低压气氛相比为高压的气体，形成包含多个气体分子的团簇，通过使该团簇不离子化就向所述基板碰撞，不使气体分子被掺杂到形成在所述基板上的膜或所述基板本身，促进所述异物和所述气体分子的一部分的化学反应，并且通过将所述团簇的动能传递给所述异物，来促进所述异物和所述气体分子的一部分的化学反应，

还包括加热所述基板的加热部。

9.如权利要求8所述的基板清洗装置，其特征在于：

还包括冷却部，其与所述基板相比处于低温，并捕捉从所述团簇所到达的所述基板除去的所述异物，

所述冷却部配置在与所述基板不同的场所。

10.如权利要求8所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述气体喷雾部边喷雾所述高压的气体边沿所述基板的表面移动。

11.如权利要求8所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述气体喷雾部对所述基板斜着喷雾所述高压的气体。

12.如权利要求9所述的基板清洗装置，其特征在于：

还包括向所述冷却部喷出CO₂气流或包含多个气体分子的其它团簇的喷出部。

13.如权利要求8所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述气体喷雾部从直径是0.02mm～1.0mm的孔喷雾所述高压的气体。

14.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于：

从多个方向对所述基板喷雾所述高压的气体。

15.如权利要求14所述的基板清洗方法，其特征在于：

将从所述多个方向喷雾的各所述高压的气体的压力设定为互不相同，并且/或者使各所述高压的气体的喷雾时机彼此错开。

16.如权利要求8所述的基板清洗装置，其特征在于：

包括多个所述气体喷雾部，各所述气体喷雾部从多个方向对所述基板喷雾所述高压的气体。

17.如权利要求16所述的基板清洗装置，其特征在于：

各所述气体喷雾部从所述多个方向喷雾的各所述高压的气体的压力互不相同，并且/或者各所述气体喷雾部彼此错开各所述高压的气体的喷雾时机。