[发明专利]具有绝缘层的金属基板及其制备方法、半导体器件及其制备方法、太阳能电池及其制备方法、电子电路及其制备方法以及发光元件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有绝缘层的金属基板，所述具有绝缘层的金属基板包括：

至少具有铝基底的金属基板；和

形成在所述金属基板的所述铝基底上的铝的多孔型阳极氧化膜，

其中所述阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少所述多孔层部分在室温具有压缩应变。

2.根据权利要求1所述的具有绝缘层的金属基板，其中所述阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的具有绝缘层的金属基板，其中所述应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的具有绝缘层的金属基板，其中

所述金属基板由所述铝基底构成，并且

所述阳极氧化膜形成在所述铝基底的至少一个表面上。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的具有绝缘层的金属基板，其中所述阳极氧化膜的所述压缩应变通过在所述金属基板比在室温使用的状态伸长的状态下阳极氧化所述金属基板的所述铝基底而形成。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的具有绝缘层的金属基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过在酸性水溶液中在50℃至98℃的温度阳极氧化所述金属基板的所述铝基底获得，所述酸性水溶液在25℃的温度具有2.5至3.5的酸解离常数(pKa)。

7.根据权利要求6所述的具有绝缘层的金属基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过将通过在所述酸性水溶液中在50℃至98℃的温度阳极氧化所述铝基底从而获得的阳极氧化膜冷却至室温而获得。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的具有绝缘层的金属基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过使用辊至辊工艺阳极氧化所述铝基底而获得。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过以下方式获得：阳极氧化所述铝基底以形成第一阳极氧化膜，并且对这样形成的第一阳极氧化膜在100℃至600℃的加热温度进行热处理。

10.根据权利要求9所述的具有绝缘层的基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过对所述第一阳极氧化膜在100℃至200℃的加热温度进行所述热处理而获得。

11.根据权利要求9或10所述的具有绝缘层的基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过加热具有拉伸应变的所述第一阳极氧化膜获得。

12.根据权利要求9至11中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中用于形成具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜的加热时间在1秒至100小时的范围内。

13.根据权利要求9至12中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中具有所述压缩应变的所述阳极氧化膜通过使用辊至辊工艺进行所述热处理的制备方法获得。

14.根据权利要求1至3和5至13中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中所述金属基板还包括金属基底，并且所述铝基底形成在所述金属基底的至少一个表面上。

15.根据权利要求1至3和5至14中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中

所述金属基板还包括由不同于铝的金属制成的金属基底，

所述铝基底形成在所述金属基底的至少一个表面上，并且

所述阳极氧化膜形成在所述铝基底的表面上。

16.根据权利要求1至3和5至15中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中

所述金属基板还包括由具有比铝更大的杨氏模量的金属制成的金属基底，

所述铝基底形成在所述金属基底的至少一个表面上，并且

所述阳极氧化膜形成在所述铝基底的表面上。

17.根据权利要求14至16中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中所述金属基底的线性热膨胀系数大于所述阳极氧化膜的线性热膨胀系数，并且小于铝的线性热膨胀系数。

18.根据权利要求14至17中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中所述金属基底的杨氏模量大于所述阳极氧化膜的杨氏模量，并且大于铝的杨氏模量。

19.根据权利要求14至18中的任一项所述的具有绝缘层的基板，其中所述金属基底和所述铝基底通过压焊逐渐合一。