[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体元件，具备：

氮化物系半导体叠层构造，其具有生长面为m面的p型半导体区域；和

电极，其设置在所述p型半导体区域上，

所述p型半导体区域具有由厚度26nm以上60nm以下的Al_xGa_yIn_zN半导体形成的接触层，其中x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0，

所述接触层具有：含有4×10¹⁹cm^-3以上2×10²⁰cm^-3以下的Mg的主体区域、和与所述电极相接并具有1×10²¹cm^-3以上的Mg浓度的高浓度区域。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述高浓度区域的厚度为0.5nm以上10nm以下。

3.根据权利要求1或者2所述的氮化物系半导体元件，其中，

在所述接触层中，在所述主体区域与所述高浓度区域之间设置含有浓度高于2×10²⁰cm^-3且低于1×10²¹cm^-3的Mg的迁移区域。

4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述主体区域含有4×10¹⁹cm^-3以上1×10²⁰cm^-3以下的Mg。

5.根据权利要求1至4任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极之中的与所述高浓度区域相接的部分是含有Mg、Zn及Ag之中至少任意一个的第1层。

6.根据权利要求5所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极包括在所述第1层之上形成的第2层。

7.根据权利要求6所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述第2层是从由Ag、Pt、Mo及Pd组成的群组中选择的至少一种金属。

8.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极是Ag层。

9.根据权利要求5至7任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述第1层是岛状。

10.根据权利要求1至9任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型半导体区域还包括由含有1×10¹⁸cm^-3以上1×10¹⁹cm^-3以下的Mg的Al_xGa_yIn_zN半导体所形成的p型半导体层，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

11.根据权利要求10所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型半导体区域的厚度是100nm以上500nm以下。

12.一种光源，其具备：

氮化物系半导体发光元件；和

波长变换部，其包含对从所述氮化物系半导体发光元件放射出的光的波长进行变换的荧光物质，

所述氮化物系半导体发光元件具备：

氮化物系半导体叠层构造，其具有生长面为m面的p型半导体区域；和

电极，其设置在所述p型半导体区域上，

所述p型半导体区域由厚度26nm以上60nm以下的Al_xGa_yIn_zN半导体形成的接触层，其中x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0，

所述接触层具有含有4×10¹⁹cm^-3以上2×10²⁰cm^-3以下的Mg的主体区域、和与所述电极相接并具有1×10²¹cm^-3以上的Mg浓度的高浓度区域。

13.根据权利要求12所述的光源，其中，

所述高浓度区域的厚度为0.5nm以上10nm以下。