[发明专利]无溶剂一液型氰酸酯-环氧复合树脂组合物有效

专利信息
申请号: 201180008920.2 申请日: 2011-02-10
公开(公告)号: CN102906149A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 小川亮;正宗叶子 申请(专利权)人: ADEKA株式会社
主分类号: C08G59/50 分类号: C08G59/50;C08G73/06
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 溶剂 一液型 氰酸 复合 树脂 组合
【说明书】:

技术领域

本发明涉及无溶剂一液型氰酸酯-环氧复合树脂组合物,尤其涉及含有多官能氰酸酯、多官能液状环氧树脂以及胺系潜在性硬化剂而成的硬化性/耐热性优良,而且诱电介电率低、诱电介电正切(低tanδ)低等的硬化后的电气特性也优良的无溶剂一液型氰酸酯-环氧复合树脂组合物。

背景技术

环氧树脂组合物因具有优良的电气性能与接着力,从以往就被使用于电气/电子领域的各种用途。另外,在单独仅使用既存的环氧树脂,或仅混合使用它们仍不理想时,则多使用环氧树脂与氰酸酯混合而成的氰酸酯-环氧复合树脂组合物作为高耐热性的树脂组合物于半导体封装及成形用途等。

近年来,伴随着电子零件用途的扩大,其需要求在严苛环境下的耐久性及生产性、并要求相较于以往更高的耐热性与优良的硬化性。另外,伴随着半导体周边的电子回路高积体化、高密集化及高速化,因此要求具有低诱电介电率并且有低诱电介电正切(tanδ)的有机材料。

为了满足如此的需要,至今已提出了许多氰酸酯-环氧复合树脂组合物,例如使用胺系硬化剂于氰酸酯、环氧树脂、无机填充剂及二酰肼化合物等构成的半导体封装用液状环氧树脂组合物(专利文献1);或含氰酸酯及环氧树脂的复合组合物中的发明(专利文献2);还有如使用含咪唑成分的潜在性硬化剂于氰酸酯及环氧树脂所得的热硬化性树脂组合物(专利文献3)等,但因为此些组合物的硬化耗时,故不仅生产性低,耐热性也不充分,或有不能满足低介电率、低介电正切(tanδ)的要求等情形,因此,需要进行更进一步的改善。

[先前技术文献]

[专利文献]

专利文献1日本特开2001-302767号公报

专利文献2日本特开昭60-250026号公报

专利文献3日本特表2001-506313号公报

发明内容

技术问题

从而,本发明的目的在提供由氰酸酯与环氧树脂组合而成、且具有优良硬化性及耐热性,并有低介电率及低介电正切(低tanδ)的无溶剂一液型氰酸酯-环氧树脂组合物。

技术方案

因此,本发明人为了达成上述目的不断努力探讨,结果发现含有多官能氰酸酯、多官能液状环氧树脂及胺系潜在性硬化剂而成的氰酸酯-环氧复合树脂组合物良好,因而完成本发明。

即,本发明的特征为:含有:(A)以下述式(1)所表示的平均氰酸酯基数为2.5以上的多官能氰酸酯或其混合物、(B)以下述式(2)所表示的平均环氧基数为2.5以上的多官能液状环氧树脂或其混合物及(C)胺系潜在性硬化剂而成的无溶剂一液型氰酸酯-环氧复合树脂组合物。

[式(1)]

其中,Ai为成分i的氰酸酯基数、Xi为成分i的含量比例(质量%),

[式(2)]

上式中的Bk为成分k的环氧基数、Yk为成分k的含量比例(质量%)。

发明效果

本发明的氰酸酯-环氧树脂组合物不仅具有优良的硬化性与耐热性,且具有低介电率及低介电正切(tanδ),因此适用于封装用材料、接着剂、薄膜、接着构造物、半导体组件、树脂被膜物、电子回路基板等用途。

附图说明

图1为示出实施例1及比较例1中,以升温速度为2℃/分、扫描温度范围为100~250℃之下测定动态黏弹性的结果图。另外,实线为实施例1,虚线为比较例1。

具体实施方式

本发明中所使用的成分(A)的多官能氰酸酯并无特殊限定,例如,可举出以下述通式(3)表示的化合物。

[通式(3)]

其中,上式中的n为0.5~20、R为未取代或经氟取代的2价烃基,R’及R”为氢原子或为碳数1~4的烷基。

另外,下述通式(4)所表示的化合物中,氰酸酯基的一部分形成为三嗪环的预聚物也可作为成分(A)使用。

[通式(4)]

N≡C-O-R2-R1-R3-O-C≡N

其中,上式中的R1表示未取代或经氟取代的2价烃基、-O-、-S-、或单键,R2及R3各自独立地为未取代或以1~4个烷基置换取代的伸苯基。作为上述预聚物,例如,可举出通式(4)化合物的全部或一部分经3聚化的预聚物。

更优选的是以上述通式(3)表示的下述化合物中,

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