[发明专利]光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种光刻设备，包括：

照射系统，被配置用于调节辐射束；

支撑结构，被配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；

衬底台，被配置用于保持衬底；

投影系统，被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；

对准设备，被配置用于在将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上之前，根据对准策略对准衬底；以及

扫描控制模块，被配置用于通过从一个或更多个监控晶片周期性地重新获得限定基准线控制参数的测量值、以便由基准线控制来确定参数漂移、从而控制支撑结构、衬底台和投影系统中的至少一个，所述一个或更多个监控晶片初始已经被使用第一对准策略曝光；

其中，所述设备被配置用于：当使用不同于第一对准策略的第二对准策略曝光产品衬底时，调整针对参数漂移做出的校正，使得在第二对准策略已经被用于曝光所述一个或更多个监控晶片情况下实质上更接近原本应该做出的校正。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于在曝光衬底期间确定在第二对准策略和第一对准策略的影响之间的差异，并且使用所述差异来调整所述校正。

3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于从以下方面确定第二对准策略和第一对准策略的影响之间的差异：

确定第一对准策略当在曝光至少一个监控晶片的过程中时对从所述至少一个监控晶片读取的重叠测量值以及由光刻设备测量的对准数据的影响；和

基于第二对准策略以及由光刻设备测量的对准数据，确定如果第二对准策略已经被用于曝光所述至少一个监控晶片、则第二对准策略将执行的校正。

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于确定使用第二对准策略和第一对准策略的影响之间的差异。

5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于将使用第二对准策略和第一对准策略的影响之间的已确定的差异传送至照射系统、衬底台、投影系统和对准设备中的至少一个。

6.根据权利要求4所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于将使用多个预定的对准策略和第一对准策略的影响之间的差异传送至照射系统、衬底台、投影系统和对准设备中的至少一个。

7.根据权利要求4所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于基于所确定的在第二对准策略和第一对准策略的影响之间的差异来调整基准线控制参数。

8.根据权利要求3所述的光刻设备，还包括在光刻设备中的控制器模块，其中所述控制器模块被配置用于确定第二对准策略和第一对准策略的影响之间的差异。

9.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述光刻设备被配置用于使用相同的对准策略曝光多个监控晶片。

10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中，所述多个监控晶片中每个包括一个或更多个对准标记，所述对准标记与产品衬底上的对准标记对准。

11.根据权利要求10所述的光刻设备，其中，所述光刻设备被配置用于针对所述多个监控晶片中的每一个施加曝光持续时间，所述曝光持续时间与用于产品衬底的曝光持续时间大致类似。

12.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述光刻设备被配置成使用分成两组的多个监控晶片，并且使用第一对准策略曝光第一组监控晶片，使用多个对准标记曝光第二组监控晶片，以便为对准设备精确地绘制参考栅格。

13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述扫描控制模块被配置用于从第一组监控晶片获得重叠信息，并且从第二组监控晶片获得与对准设备的参数漂移相关的信息。

14.根据权利要求13所述的光刻设备，其中，所述光刻设备被配置用于针对第一组监控晶片中的每一个施加曝光持续时间，所述曝光持续时间与用于一个或更多个产品衬底的曝光持续时间大致类似，而用于第二组监控晶片中的每一个的曝光持续时间不基于用于所述一个或更多个产品衬底的曝光持续时间。