[发明专利]将法拉第罩施加到微波光源的谐振器上的方法无效
申请号: | 201180009114.7 | 申请日: | 2011-02-08 |
公开(公告)号: | CN102754183A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | F·R·鲍瑟欧文;A·S·尼特 | 申请(专利权)人: | 塞拉维申有限公司 |
主分类号: | H01J65/04 | 分类号: | H01J65/04;H01J9/24;H01P7/10 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 英国米尔*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 法拉第 施加 微波 光源 谐振器 方法 | ||
1.一种将法拉第罩施加到透明谐振器的方法,该谐振器包括含有微波可激发材料的中空,且适于微波在该谐振器中以及该法拉第罩中谐振,从而在该中空中产生发光等离子体,该方法包括以下步骤:
·在所述透明谐振器上沉积导体材料;
·在导体材料上施加、图案化并显影光致抗蚀剂材料,以在不需要导体材料的地方暴露导体材料;
·移除不需要导体材料处的导体材料,并从所需导体材料处移除光致抗蚀剂材料,留下导体材料的交叉网状物以提供法拉第罩;以及
·在导体材料的所述罩上沉积保护材料的层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述导体材料被沉积的厚度至少是被用于激发可激发材料的微波的趋肤深度的至少两倍,优选大于所述趋肤深度的三倍。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述导体材料通过溅射或电子束蒸发被真空沉积。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述保护材料通过溅射或电子束蒸发被真空沉积。
5.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中所述导体材料为高导电金属,优选为铜。
6.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中所述保护材料与谐振器的材料相同,优选为石英,即二氧化硅,或一氧化硅。
7.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中所述保护材料留下一导体材料环没覆盖,该导体材料环是连续形式或所述交叉网状物的一部分,一固定环被软焊或硬焊到暴露的导体材料。
8.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中反射材料被沉积到谐振器的背表面上,优选形成法拉第罩的连续延长部分。
9.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中沉积到所述背表面的所述反射材料与交叉网状物的材料相同。
10.根据权利要求1-8中任一权利要求所述的方法,其中沉积到所述背表面的所述反射材料是不同的材料,优选为铝。
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