[发明专利]陶瓷多层器件有效

专利信息
申请号: 201180009127.4 申请日: 2011-02-09
公开(公告)号: CN102754171A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: T.法伊希廷格;P.多塔;H.席赫尔 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: H01G4/40 分类号: H01G4/40;H03H7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 多层 器件
【权利要求书】:

1. 一种陶瓷多层器件,具有

- 基体(10)以及安装在基体上的连接接触(1a、1b、1c、1d、1e、1f;7),

- 为电感区域而设置在基体(10)中的铁氧体陶瓷(2),在该铁氧体陶瓷(2)中设置由电导体形成的电感(12),和

- 基体(10)中的压敏电阻陶瓷(4),

- 其中压敏电阻陶瓷(4)最高包括基体(10)体积的40%。

2. 根据权利要求1的多层器件,其中

压敏陶瓷电阻(4)设置在基体(10)的外侧(14)。

3. 根据权利要求1或2的多层器件,其中

压敏电阻陶瓷(4)形成表面压敏电阻(5)的层并且表面压敏电阻最高包括基体(10)体积的20%。

4. 根据权利要求1至3之一的多层器件,其中

金属的或氧化物的中间层(3)设置在铁氧体陶瓷(2)与压敏电阻陶瓷(4)之间。

5. 根据权利要求1至4之一的多层器件,其中

压敏电阻陶瓷(4)设置来用于ESD保护功能。

6. 根据权利要求1至5之一的多层器件,其中

压敏电阻陶瓷(4)与连接接触(1a、1b、1c、1d、1e、1f;7)形成电容。

7. 根据权利要求6的多层器件,其中

电感(12)和电容形成LC滤波器。

8. 根据权利要求1至7之一的多层器件,其中

铁氧体陶瓷(2)包括NiZn铁氧体、NiCuZn铁氧体、NiZnCo铁氧体、NiCuZnCo铁氧体或者六角形铁氧体。

9. 根据权利要求1至8之一的多层器件,其中

压敏电阻陶瓷(4)包括ZnO-Bi-Sb陶瓷或者ZnO-Pr陶瓷。

10. 根据权利要求1至9之一的多层器件,其中

连接接触(7)设置来用于球形栅格阵列或者触点栅格阵列。

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