[发明专利]压电薄膜元件及压电薄膜设备有效
| 申请号： | 201180009228.1 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102754232A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 末永和史;柴田宪治;渡边和俊;野本明 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 元件 设备 | ||
1.一种压电薄膜元件，其中，具备基板和压电薄膜；
所述压电薄膜设在所述基板上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素，在所述通式中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜元件，其中，所述压电薄膜含有30ppm～70ppm的所述非活性气体元素。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜元件，其中，所述压电薄膜含有0.16μg/cm2以下的所述非活性气体元素。
4.根据权利要求3所述的压电薄膜元件，其中，所述压电薄膜含有0.06μg/cm2～0.15μg/cm2的所述非活性气体元素。
5.根据权利要求1所述的压电薄膜元件，其中，所述非活性气体元素为氩Ar。
6.根据权利要求1所述的压电薄膜元件，其中，在所述基板与所述压电薄膜之间进一步具备下部电极。
7.根据权利要求1所述的压电薄膜元件，其中，所述压电薄膜相对于所述基板面在平行方向具有应变。
8.根据权利要求7所述的压电薄膜元件，其中，所述应变为由拉伸应力所致的应变或者由压缩应力所致的应变。
9.根据权利要求1所述的压电薄膜元件，其中，所述压电薄膜相对于所述基板面在垂直方向或平行方向、或者垂直方向和平行方向具有不均匀的应变。
10.根据权利要求6所述的压电薄膜元件，其中，所述下部电极具有由Pt或包含Pt的合金构成的电极层。
11.根据权利要求6所述的压电薄膜元件，其中，所述下部电极具有在所述基板表面的垂直方向优先取向的结晶取向性的单层。
12.一种压电薄膜设备，具备：
权利要求1所述的压电薄膜元件；以及
对所述压电薄膜元件施加电压的电压施加部。
13.一种压电薄膜设备，具备：
权利要求1所述的压电薄膜元件；以及
对施加于所述压电薄膜元件的电压进行检测的电压检测部。
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