[发明专利]宽带模拟射频元件

权利要求书

1.一种宽带模拟射频积分器，包括：

第一和第二p-沟道晶体管，包括被并联耦接到第一电压源端子的各自源极和被配置为提供互补输出信号的各自漏极；

第一和第二可变电阻器，包括分别被耦接到所述第一和第二P-沟道晶体管的所述漏极的各自第一端子、以及分别被耦接到所述第二和第一P-沟道晶体管的栅极的各自第二端子；以及

第一和第二n-沟道晶体管，包括分别被耦接到所述第一和第二可变电阻器的所述第二端子的各自漏极、被配置为接收互补输入信号的各自栅极以及与第二电压源端子进行电气通信的各自源极。

2.根据权利要求1所述的积分器，还包括偏置晶体管，串联连接在所述第二电压源端子与所述第一和第二n-沟道晶体管的所述源极之间。

3.根据权利要求1所述的积分器，还包括第三电压源端子，与所述第一和第二n-沟道晶体管的所述栅极进行电气通信，所述第三电压源被配置为控制所述第一和第二n-沟道晶体管的阻抗。

4.根据权利要求1所述的积分器，其中使用深亚微米互补金属氧化物半导体、硅锗或绝缘体上硅技术制造所述积分器。

5.根据权利要求1所述的积分器，其中所述多个晶体管彼此交错以降低偏置偏移。

6.根据权利要求1所述的积分器，还包括被配置为调节所述积分器的输出的取样的调谐电路。

7.根据权利要求6所述的积分器，其中所述调谐电路还包括DC校准电路和增益控制电路。

8.根据权利要求1所述的积分器，其中所述第一和第二可变电阻器分别包括第三和第四n-沟道晶体管，所述第三和第四n-沟道晶体管包括分别被耦接到所述第一和第二p-沟道晶体管的所述漏极的各自漏极、分别被耦接到所述第二和第一P-沟道晶体管的栅极的各自源极以及彼此耦接的各自栅极。

9.一种宽带模拟射频衰减器，包括：

多个M衰减器模块，每个模块包括：

第一开关，连接在信号导轨与输出节点之间；

第二开关，连接在偏移导轨与所述输出节点之间；以及

阻性器件，串联连接在所述输出节点与所述第一和第二开关之间；

所述衰减器提供N-位精度，其中N小于M。

10.根据权利要求9所述的衰减器，其中所述多个模块中的至少一个具有阻性器件，该阻性器件的阻值对应于相对于所述多个模块中另一个的电阻值为最佳的数目。

11.根据权利要求9所述的衰减器，其中每个模块的所述阻性器件的值通过均匀分布的随机变量进行颤动。

12.根据权利要求9所述的衰减器，其中通过基于所述输出节点处的测量误差配置控制所述第一和第二开关的编程输入，来校准所述衰减器。

13.根据权利要求9所述的衰减器，其中使用互补金属氧化物半导体或绝缘体上硅技术来制造所述衰减器。

14.一种宽带模拟射频可扩展加法器，包括：

多个N开关，并联连接在输出节点与接地导轨之间；以及

阻性器件，串联连接在源极导轨与所述输出节点之间；

所述开关的每一个被各自电压输入所控制。

15.根据权利要求14所述的加法器，其中基于待被加和的输入信号数目决定所述N。

16.根据权利要求14所述的加法器，其中使用互补金属氧化物半导体或绝缘体上硅技术来制造所述加法器。