[发明专利]含Li的α-赛隆系荧光体粒子和其制造方法、照明器具以及图像显示装置

权利要求书

1.一种含锂的α-赛隆荧光体粒子，其为由通式(1)表示的含锂的α-赛隆荧光体粒子，

Li_xEu_ySi_12-(m＋n)Al_(m＋n)O_n＋δN_16-n-δ        (1)

式中，0.4≤x≤1.5、0.001≤y≤0.2、1.0≤m≤2.8、0.1≤n＋δ≤3.2、使Eu的平均价数为a时，x＋ya＋δ＝m；

其中，在450nm附近的波长区域中光的吸收率为65%以上，所述含锂的α-赛隆荧光体粒子在其表面具有由1μm以下的尺寸的微粒状的赛隆形成的具有凹凸表面微细构造的赛隆表面层。

2.如权利要求1所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子，其中，

0＜δ，0.3≤x／m≤0.9。

3.如权利要求1或2所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子，其中，所述含锂的α-赛隆荧光体粒子的平均粒径为0.5～30μm。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子，其中，所述赛隆表面层为含锂的α-赛隆，所述赛隆表面层的微粒状赛隆的尺寸为0.01～0.8μm。

5.如权利要求1所述的含Li的α-赛隆系荧光体粒子，其中，通过入射激发光，放出从波长560nm到590nm的峰值波长的荧光。

6.一种含Li的α-赛隆荧光体粒子的制造方法，其将氮化硅或含氮硅化合物粉末，含有AlN的成为铝源的物质，包含Li的氮化物、氧氮化物、氧化物或通过热解而成为氧化物的前体物质的Li源，包含Eu的氮化物、氧氮化物、氧化物或通过热解而成为氧化物的前体物质的Eu源混合，在常压的含氮的惰性气体气氛中，在1500～1800℃下进行焙烧而得到作为中间产物的含锂的α-赛隆粉末，在其粉末中添加混合追加的锂源，在常压的含氮的惰性气体气氛中，在低于所述焙烧温度的温度下，或在1100℃以上、不足1600℃下，进行再焙烧。

7.如权利要求6所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子的制造方法，其中，通过所述再焙烧而得到的含锂的α-赛隆荧光体粒子是由通式(1)表示的含锂的α-赛隆粒子，

Li_xEu_ySi_12-(m＋n)Al_(m＋n)O_n＋δN_16-n-δ        (1)

式中，0.4≤x≤1.5、0.001≤y≤0.2、1.0≤m≤2.8、0.1≤n＋δ≤3.2，使Eu的平均价数为a时，x＋ya＋δ＝m；0＜δ、0.3≤x／m≤0.9；

在450nm附近的波长区域中光的吸收率为65%以上，所述含锂的α-赛隆荧光体粒子在其表面具有由1μm以下的尺寸的粒子状的赛隆形成的具有凹凸表面微细构造的赛隆表面层。

8.如权利要求6或7所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子的制造方法，其中，所述的作为中间产物的含锂的α-赛隆荧光体粒子是由通式(1)表示的含锂的α-赛隆粒子，

Li_xEu_ySi_12-(m＋n)Al_(m＋n)O_n＋δN_16-n-δ        (1)

式中，0.3≤x＜1.2、0.001≤y≤0.2、1.0≤m≤2.9、0.1≤n＋δ≤3.2，使Eu的平均价数为a时，x＋ya＋δ＝m；

在通过所述再焙烧而得到的含锂的α-赛隆荧光体粒子中，与所述的作为中间产物的含锂的α-赛隆荧光体粒子相比，x／m至少增加0.02。

9.如权利要求6～8中的任一项所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子的制造方法，其中，所述的作为中间产物的含锂的α-赛隆荧光体粒子在450nm附近的波长区域中光的吸收率为65%以上。

10.如权利要求6～9中的任一项所述的含Li的α-赛隆荧光体粒子的制造方法，其中，所述追加的锂源，相对于所述的作为中间产物的含锂的α-赛隆粉末1摩尔，以金属Li换算计，为0.05～1.6摩尔。