[发明专利]交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统

说明书

技术领域

本发明涉及交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，以及计算机系统。

背景技术

存在许多不同结构供用于将数据存储于存储器单元中。一些动态存储器单元包含用于针对短暂时间周期存储电荷的电容器。此些存储器单元可配置为两个或两个以上状态中的一者。在一个状态下，所述存储器单元使用电容器存储电荷，而在另一状态下，所述存储器单元不存储电荷。由于此些电容器所存储的电荷最终会消散，因此需要周期性地刷新此些动态存储器单元。

其它存储器单元可配置为用于表示数据的两个或两个以上电阻性状态中的一者。在一个状态下，此些存储器单元具有相对高的电阻，而在另一状态下，此些存储器单元具有相对低的电阻。此些存储器单元可布置成交叉点结构，其中电阻性存储器单元位于字线与位线之间。

发明内容

附图说明

图1是根据本发明的实施例的非易失性存储器阵列的图解性示意图。

图2是呈一个经编程状态且根据本发明的实施例的忆容器(memcapacitor)装置的图解性示意图。

图3是根据本发明的实施例呈另一经编程状态的图2忆容器装置的视图。

图4是呈一个经编程状态且根据本发明的实施例的存储器单元的图解性等轴视图。

图5是呈另一经编程状态且根据本发明的实施例的图4存储器单元的图解性等轴视图。

图6是呈一个经编程状态且根据本发明的实施例的存储器单元的图解性等轴视图。

图7是呈一个经编程状态且根据本发明的实施例的非易失性存储器阵列的部分的示意图。

图8是图解说明根据本发明的实施例的存储器单元的特性的标绘图。

图9是图解说明根据本发明的实施例的电流的标绘图。

图10是根据本发明的实施例的计算机的图解性视图。

图11是根据本发明的实施例的计算机主板的框图。

图12是根据本发明的实施例的电子系统的高阶框图。

图13是根据本发明的实施例的电子系统的另一高阶框图。

具体实施方式

参考图1，图解说明根据本发明的实施例的非易失性存储器阵列的部分。所述阵列包含多个字线WL1到WL4及与所述多个字线交叉的多个位线BL1到BL4。所述阵列进一步包含象征性地由圆圈表示的多个存储器单元M11到M44。所述存储器单元个别地对应于所述多个字线与所述多个位线相对于彼此的交叉中的不同一者。举例来说，存储器单元M12对应于WL1与BL2的交叉，而存储器单元M34对应于WL3与BL4的交叉。图1中所图解说明的部分可为所述非易失性存储器阵列的很小部分。除图1中所图解说明的字线、位线及存储器单元外，所述非易失性存储器阵列还可包含更多字线、位线及存储器单元。

尽管图1的字线及位线展示为相对于彼此正交地交叉的直线，但也可使用现有或尚待开发的其它形状及相交角度。图1的位线及字线在图1中图解性地且示意性地展示为在此相交所在处彼此触碰，但此将不会相对于所描绘的相交而欧姆连接。

所述存储器单元中的个别者包含能够被重复地编程为至少两种不同电容状态的电容器。所述电容器静态地保持呈经编程电容状态直到被编程为不同电容状态为止。所述不同电容状态通过具有不同电容值来表征。在一个电容状态下，电容器可具有第一电容值，而在另一电容状态下，所述电容器可具有可与所述第一电容值显著不同的不同第二电容值。举例来说，在一些实施例中，第二电容值可为比第一电容值高或低二倍到十倍的因子。

所述不同电容状态可用于表示一个或一个以上数据位。举例来说，存储器单元可在其电容器呈第一电容状态时表示“1”，且所述存储器单元可在其电容器呈第二电容状态时表示“0”。在一些实施例中，存储器单元可使用三个或三个以上不同电容状态来表示数据。

即使不给电容器提供电力，电容器也可数月、数年或更长地保持呈电容状态，。因此，电容状态可被描述为非易失性的及静态的。此外，存储器单元的电容状态可在不损害存储器单元的情况下重复地变更。