[发明专利]高保持电压器件

权利要求书

1.一种静电放电(ESD)保护电路，包括：

第一导电类型的第一低掺杂阱；

第二导电类型的第二低掺杂阱；

在第一低掺杂阱中形成的第一导电类型的第一高掺杂区；

在第一低掺杂阱中形成的第二导电类型的第二高掺杂区；

在第二低掺杂阱中形成的第一导电类型的第三高掺杂区；

在第二低掺杂阱中形成的第二导电类型的第四高掺杂区；

在第二高掺杂区和第二低掺杂阱之间的第一低掺杂阱中形成的第一导电类型的第五高掺杂区；

在第二高掺杂区和第二低掺杂阱之间的第一低掺杂阱中形成的第二导电类型的第六高掺杂区；以及

触发电路，用于在ESD事件期间接通所述ESD保护电路，其中所述触发电路与第一高掺杂区、第二高掺杂区、第三高掺杂区、第四高掺杂区、第五高掺杂区或者第六高掺杂区的至少一个耦合。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，还包括：

第一电阻器，耦合在第一高掺杂区和第二高掺杂区之间；以及

第二电阻器，耦合在第三高掺杂区和第四高掺杂区之间。

3.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中：

第五高掺杂区与第六高掺杂区直接相连，并且没有其他区域与第五高掺杂区和第六高掺杂区相连；

第二高掺杂区是所述ESD保护电路的阴极；以及

第三高掺杂区是所述ESD保护电路的阳极。

4.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述触发电路包括以下至少之一：

第一触发电路，耦合在第四高掺杂区和第二高掺杂区之间；

第二触发电路，耦合在第三高掺杂区和第一高掺杂区之间

第三触发电路，其中第五高掺杂区与第六高掺杂区相连，并且第三触发电路耦合在第三高掺杂区和第五高掺杂区之间；

第四触发电路，耦合在第四高掺杂区和第一高掺杂区之间；以及

第五触发电路，其中第五高掺杂区与第六高掺杂区相连，并且第五触发电路耦合在第四高掺杂区和第五高掺杂区之间；

其中第一、第二、第三、第四和第五触发电路的任一个配置用于在ESD事件期间接通所述ESD保护电路。

5.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中：

第六高掺杂区形成于第二高掺杂区和第五高掺杂区之间。

6.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中：

没有高掺杂区形成于第五高掺杂区和第二轻掺杂区之间

没有高掺杂区形成于第五高掺杂区和第六高掺杂区之间；以及

没有高掺杂区形成于第六高掺杂区和第二高掺杂区之间。

7.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中：

第五高掺杂区通过连接元件与第六高掺杂区耦合；

其中所述连接元件包括以下至少之一：金属连接、金属触点、通孔、金属线、电阻器、电容器、二极管、金属氧化物半导体(MOS)器件、双极型晶体管和控制电路。

8.根据权利要求7所述的ESD保护电路，其中：

所述连接元件在半导体器件的正常工作期间处于第一状态，并且其中所述连接元件在ESD事件的第一时间段期间处于第二状态。

9.根据权利要求8所述的ESD保护电路，其中：

所述连接元件在ESD事件的第二时间段期间处于第一状态。

10.根据权利要求1所述的ESD保护电路，还包括：

第一导电类型的第七高掺杂区，形成于第六高掺杂区和第二高掺杂区之间；以及

第二导电类型的第八区域，形成于第二高掺杂区和第三高掺杂区之间的第一低掺杂阱中，其中第八区域至少部分地包围第六高掺杂区和第七高掺杂区。

11.根据权利要求1所述的ESD保护电路，还包括：

第二导电类型的第七区域，至少部分地包围第六高掺杂区。

12.根据权利要求11所述的ESD保护电路，其中：

第七区域的掺杂水平高于第二低掺杂阱的掺杂水平，并且第七区域的掺杂水平低于第六高掺杂区的掺杂水平。

13.根据权利要求1所述的ESD保护电路，还包括：

第一导电类型的第七区域，至少部分地包围第五高掺杂区。