[发明专利]制造碳化硅单晶的方法

权利要求书

1.一种用于制造SiC单晶的方法，其特征在于包括：

通过将第一籽晶浸在坩埚中的原料熔体中而在保持在籽晶保持器下端处的所述第一籽晶上生长SiC单晶；和

在所述第一籽晶之外的区域中实施促进多晶生长的处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述促进多晶生长的处理包括形成呈现出从所述原料熔体的内部向所述原料熔体的液体表面的温度下降和从所述原料熔体的内部向所述坩埚的底部的温度下降的温度梯度的处理。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述促进多晶生长的处理包括通过将石墨材料浸在所述原料熔体的自由表面中而在所述石墨材料上生长多晶的处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其中浸在所述原料熔体中的所述石墨材料设置有第二籽晶，并且所述促进多晶生长的处理包括通过将所述第二籽晶浸在所述原料熔体的自由表面中而在所述第二籽晶上生长多晶的处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述促进多晶生长的处理包括通过将第三籽晶设置在所述坩埚的内壁的底表面处、所述坩埚的内壁和所述原料熔体的液体表面之间的接触区域中的至少之一处使得在所述第三籽晶上生长多晶的处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述石墨材料是石墨棒或石墨环。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述促进多晶生长的处理包括在设置在所述坩埚的内壁表面上的纹理化区域上生长多晶的处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述纹理化区域具有大于2.0μm的表面粗糙度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述多晶由SiC形成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述原料熔体的温度等于或高于1800℃，并且等于或低于2300℃。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述原料熔体的温度等于或低于2000℃。