[发明专利]非共振双光子吸收记录材料和非共振双光子吸收化合物有效

专利信息
申请号: 201180009933.1 申请日: 2011-02-18
公开(公告)号: CN102763162A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 高桥依里;秋叶雅温;津山博昭;望月英宏 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G11B7/244 分类号: G11B7/244;C07C49/813;G11B7/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 牛海军
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 共振 光子 吸收 记录 材料 化合物
【权利要求书】:

1.一种非共振双光子吸收记录材料,所述非共振双光子吸收记录材料包含:

(a)非共振双光子吸收化合物,和

(b)其中至少折射率或荧光强度发生改变的记录组分,

其中所述非共振双光子吸收化合物(a)是具有由下式(1)表示的结构的化合物:

式(1)

其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。

2.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(2)表示的结构的化合物:

式(2)

其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。

3.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(3)表示的结构的化合物:

式(3)

4.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(4)表示的结构的化合物:

式(4)

5.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(5)表示的结构的化合物:

式(5)

6.一种非共振双光子吸收记录材料,所述非共振双光子吸收记录材料包含:

(a)非共振双光子吸收化合物,和

(b’)聚合物粘合剂,

其中所述非共振双光子吸收化合物(a)是具有由下式(1)表示的结构的化合物:

式(1)

其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。

7.根据权利要求6所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(2)表示的结构的化合物:

式(2)

其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。

8.根据权利要求6或7所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(3)表示的结构的化合物:

式(3)

9.根据权利要求6或7所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(4)表示的结构的化合物:

式(4)

10.根据权利要求6或7所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(5)表示的结构的化合物:

式(5)

11.一种具有由下式(3)表示的结构的化合物:

式(3)

12.一种具有由下式(4)表示的结构的化合物:

式(4)

13.一种具有由下式(5)表示的结构的化合物:

式(5)

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