[发明专利]非共振双光子吸收记录材料和非共振双光子吸收化合物有效
申请号: | 201180009933.1 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102763162A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 高桥依里;秋叶雅温;津山博昭;望月英宏 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G11B7/244 | 分类号: | G11B7/244;C07C49/813;G11B7/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 牛海军 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共振 光子 吸收 记录 材料 化合物 | ||
1.一种非共振双光子吸收记录材料,所述非共振双光子吸收记录材料包含:
(a)非共振双光子吸收化合物,和
(b)其中至少折射率或荧光强度发生改变的记录组分,
其中所述非共振双光子吸收化合物(a)是具有由下式(1)表示的结构的化合物:
式(1)
其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。
2.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(2)表示的结构的化合物:
式(2)
其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。
3.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(3)表示的结构的化合物:
式(3)
4.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(4)表示的结构的化合物:
式(4)
5.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(5)表示的结构的化合物:
式(5)
6.一种非共振双光子吸收记录材料,所述非共振双光子吸收记录材料包含:
(a)非共振双光子吸收化合物,和
(b’)聚合物粘合剂,
其中所述非共振双光子吸收化合物(a)是具有由下式(1)表示的结构的化合物:
式(1)
其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。
7.根据权利要求6所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(2)表示的结构的化合物:
式(2)
其中X和Y的每一个表示可以彼此相同或不同的具有0以上的哈米特对位取代基常数值(σp值)的取代基;n表示1至4的整数;R表示取代基,并且多个R可以与所有其它R相同或不同;并且m表示0至4的整数,条件是当n为1时,m为1以上,而当n为2以上时,n组亚苯基中的至少任一个为m≥1。
8.根据权利要求6或7所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(3)表示的结构的化合物:
式(3)
9.根据权利要求6或7所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(4)表示的结构的化合物:
式(4)
10.根据权利要求6或7所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述具有由式(1)或(2)表示的结构的非共振双光子吸收化合物是具有由下式(5)表示的结构的化合物:
式(5)
11.一种具有由下式(3)表示的结构的化合物:
式(3)
12.一种具有由下式(4)表示的结构的化合物:
式(4)
13.一种具有由下式(5)表示的结构的化合物:
式(5)
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