[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：

制备由碳化硅制成的半导体膜（3、4、23）（S20）；

在所述半导体膜（3、4、23）的表面上形成氧化物膜（7、8）（S30、S35）；

在包含氮的气氛中，对其上形成有所述氧化物膜（7、8）的所述半导体膜（3、4、23）执行热处理（S40）；以及

在所述执行热处理的步骤之后，在包含惰性气体的气氛中，对其上形成有所述氧化物膜的所述半导体膜执行后热处理（S50），

在所述执行后热处理的步骤（S50）中的热处理温度（T2）高于在所述执行热处理的步骤（S40）中的热处理温度（T1）且低于所述氧化物膜（7、8）的熔点。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，所述执行后热处理的步骤（S50）中的热处理温度（T2）不低于1100℃且不高于1500℃。

3.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，没有中断地进行所述执行热处理的步骤（S40）和所述执行后热处理的步骤（S50）。

4.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，在所述形成氧化物膜（7、8）的步骤（S30）中，通过热氧化法形成所述氧化物膜（7、8）。

5.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，所述形成氧化物膜（7、8）的步骤（S30）包括通过沉积法在所述半导体膜（3、4、23）的表面上形成将形成所述氧化物膜（7、8）的膜的步骤。

6.根据权利要求5所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括：在含氧的气氛中，对其上形成有将形成所述氧化物膜（7、8）的所述膜的所述半导体膜（3、4、23）加热的步骤，其中在所述通过沉积法形成将形成所述氧化物膜（7、8）的膜的步骤之后并且在所述执行后热处理的步骤（S50）之前，执行所述加热步骤。

7.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括在所述氧化物膜（7、8）上形成上部绝缘膜的步骤。

8.一种使用根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法制造的碳化硅半导体器件。

9.一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：

制备由碳化硅制成的半导体膜（3、4、23）（S20）；

在所述半导体膜（3、4、23）的表面上形成绝缘膜（7、8、36、46、56、66）（S30）；

在包含氮的气氛中，对其上形成有所述绝缘膜（7、8、36、46、56、66）的所述半导体膜（3、4、23）执行热处理（S40）；以及

在所述执行热处理的步骤（S40）之后，对其上形成有所述绝缘膜（7、8、36、46、56、66）的所述半导体膜（3、4、23）执行后热处理（S50），

在所述执行后热处理的步骤（S50）中的热处理温度（T2）高于在所述执行热处理的步骤（S40）中的热处理温度（T1）且低于所述绝缘膜（7、8、36、46、56、66）的熔点。

10.根据权利要求9所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，进行所述执行后热处理的步骤（S50）的气氛是惰性气体气氛与下述气氛二者之一，其中所述气氛包含选自由氢、水、三氯氧化磷、一氧化氮和一氧化二氮组成的组中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，所述执行后热处理的步骤（S50）中的热处理温度（T2）不低于1100℃且不高于1500℃。

12.根据权利要求9所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，没有中断地进行从所述形成绝缘膜（7、8、36、46、56、66）的步骤（S30）到并包括所述执行后热处理的步骤（S50）的各步骤。

13.根据权利要求9所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，在所述形成绝缘膜（7、8、36、46、56、66）的步骤（S30）中，通过热氧化法形成所述绝缘膜（7、8、36、46、56、66）。