[发明专利]多晶硅层的制造方法及用于其的金属混合层形成装置

权利要求书

1.一种多晶硅层的制造方法，其特征在于，使非晶硅层和金属混合层接触之后，对所述非晶硅层进行金属诱导晶化热处理，从而制造多晶硅层。

2.一种多晶硅层的制造方法，其特征在于，使非晶硅层和金属混合层接触之后，对所述非晶硅层进行金属诱导晶化热处理，从而制造多晶硅层，

所述制造方法包括如下步骤：

（a）在基板上形成非晶硅层的步骤；

（b）在所述非晶硅层上形成金属混合层的步骤；以及

（c）对所述非晶硅层进行晶化热处理的步骤。

3.一种多晶硅层的制造方法，其特征在于，使非晶硅层和金属混合层接触之后，对所述非晶硅层进行金属诱导晶化热处理，从而制造多晶硅层，

所述制造方法包括如下步骤：

（a）在基板上形成金属混合层的步骤；

（b）在所述金属混合层上形成非晶硅层的步骤；以及

（c）对所述非晶硅层进行晶化热处理的步骤。

4.如权利要求2或3所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，

所述金属混合层的金属包括Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任一种或者两种以上。

5.如权利要求2或3所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，

所述金属混合层的基质为硅氧化物或者硅氮化物中的任一种或两种。

6.如权利要求2或3所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，

在所述（b）步骤中，调节所述金属混合层内所包含的金属浓度。

7.如权利要求2或3所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，

在所述金属混合层内，金属浓度均匀。

8.如权利要求2或3所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，

在所述金属混合层内，金属浓度沿着所述金属混合层的生长方向递增或者递减。

9.如权利要求2或3所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：

在所述金属混合层的上部或下部、或者上部和下部形成金属非混合层的步骤。

10.如权利要求9所述的多晶硅层的制造方法，其特征在于，

所述金属非混合层为硅氧化物或者硅氮化物中的任一种或两种。

11.一种金属混合层形成装置，形成用于将非晶硅层进行金属诱导晶化热处理的金属混合层，其特征在于，包括：

反应室，配置有基板；

金属源气体供给部，向所述反应室供给金属源气体；以及

基质源气体供给部，向所述反应室供给基质源气体；

其中，所述金属源气体供给部包括：

源物质存储部，存储源物质；

源物质蒸发部，将所述源物质气化为源气体；

载气供给部，供给载气；以及

源物质供给部，设在所述源物质存储部和所述源物质蒸发部之间，用于调节供给至所述源物质蒸发部的源物质的量。

12.如权利要求11所述的金属混合层形成装置，其特征在于，还包括：

施加产生等离子体所需的电源的上部电极和放置有所述基板的下部电极。

13.如权利要求11所述的金属混合层形成装置，其特征在于，

所述反应室和所述金属源气体供给部通过金属源气体供给管连接，在所述金属源气体供给管上设有加热装置。

14.如权利要求11所述的金属混合层形成装置，其特征在于，

所述金属源气体供给部还包括源物质排出部，该源物质排出部排出残留在所述源物质蒸发部内的所述源物质。

15.如权利要求11所述的金属混合层形成装置，其特征在于，所述源物质供给部包括：

主体；

旋转供给台，可旋转地设在所述主体内部；

填充部，形成在所述旋转供给台上；

分隔板，将所述主体内部分隔成上下；以及

供给孔，与所述填充部对应地形成在所述分隔板上；

当所述填充部内填充从外部供给的所述源物质，所述旋转供给台旋转任一角度而使所述填充部位于所述供给孔的上部时，被填充在所述填充部内的所述源物质经由所述供给孔落下而供给至所述源物质蒸发部。