[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制造方法，是具有栅电极、源电极、漏电极、沟道层及栅绝缘层的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

使用含有金属盐的组合物形成所述沟道层，所述含有金属盐的组合物包含金属盐、具有-C(COOH)＝C(COOH)-顺式结构的多元羧酸、有机溶剂、以及水，且所述多元羧酸相对于所述金属盐的摩尔比为0.5以上并且4.0以下。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

所述多元羧酸是选自马来酸、柠糠酸、邻苯二甲酸及偏苯三酸中的1种以上。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

所述水来源于所述金属盐的水合物。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

所述含有金属盐的组合物中所含的所述金属盐是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Sn及Sb中的1种以上的盐。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

所述含有金属盐的组合物中所含的所述金属盐是至少包含Zn的金属的盐。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

所述含有金属盐的组合物中所含的所述金属盐还包含选自In及Ga中的1种以上的金属的盐。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

所述金属盐是选自硝酸盐、硫酸盐、羧酸盐、卤化物、醇盐及乙酰丙酮盐中的1种以上。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

包括：

(i)在基板上形成栅电极的工序；

(ii)覆盖所述栅电极地在所述基板上形成所述栅绝缘层的工序；

(iii)向所述栅绝缘层上供给所述含有金属盐的组合物而形成沟道前驱体层，对该沟道前驱体层进行加热处理而形成所述沟道层的工序；以及

(iv)与所述沟道层相接地形成所述源电极及所述漏电极的工序。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

包括：

(i)’准备金属箔的工序；

(ii)’在所述金属箔上形成所述栅绝缘层的工序；

(iii)’向所述栅绝缘层上供给所述含有金属盐的组合物而形成沟道前驱体层，对该沟道前驱体层进行加热处理而形成所述沟道层的工序；

(iv)’与所述沟道层相接地形成所述源电极及所述漏电极的工序；

(v)’以覆盖所述沟道层、所述源电极及所述漏电极的方式形成密封层的工序；以及

(vi)’蚀刻所述金属箔而形成所述栅电极的工序。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

对于所述栅绝缘层的形成也使用所述含有金属盐的组合物，

所述栅绝缘层的形成中所用的所述含有金属盐的组合物中所含的所述金属盐是选自Ba、Y、Zr、Hf、Ta及Al中的1种以上的金属的盐。

11.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，

对于所述源电极和/或所述漏电极的形成也使用所述含有金属盐的组合物，

所述源电极和/或所述漏电极的形成中所用的所述含有金属盐的组合物中所含的所述金属盐是导电性金属的盐。

12.一种场效应晶体管，是利用权利要求1所述的制造方法得到的场效应晶体管，其特征在于，

具有：

沟道层、

栅电极、

至少位于所述沟道层与所述栅电极之间的栅绝缘层、以及

与所述沟道层相接地配置的源电极及漏电极，

所述沟道层包含金属氧化物，该金属氧化物是由所述含有金属盐的组合物形成的氧化物。

13.根据权利要求12所述的场效应晶体管，其特征在于，

所述沟道层的表面的算术平均粗糙度Ra为10nm以下。