[发明专利]消除多层结构的表面上存在的材料碎片的方法

权利要求书

1.一种用于去除在第一层（116）的露出表面上存在的材料碎片（118）的工艺，所述第一层（116）被接合至第二晶片（110），要去除的所述碎片大于2μm，该工艺包括：

-将至少所述第一层浸没在液体溶液（126、130）中的步骤；以及

-在所述溶液中传播超声波的步骤，所述超声波的频率和功率被设置成在所述液体溶液中产生空化效应，以从所述露出表面去除所述碎片。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述碎片从化学蚀刻所述第一层的先前步骤（E4）产生。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的工艺，其中所述超声波的频率和功率根据所述液体溶液的粘度而设置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的工艺，其中所述溶液是冲洗溶液（130）。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的工艺，其中所述溶液是蚀刻溶液（126）。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺，其中所述溶液包括以下溶液中的至少一种：TMAH溶液、KOH溶液以及H₃PO₄溶液。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的去除工艺，其中要去除的所述材料碎片（118）中的至少一些是在化学蚀刻所述第一层的先前步骤期间形成的所述第一层（116）的碎片。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的工艺，其中要去除的所述材料碎片包括以下残留物中的至少一种：源自至少位于所述第一层（116）与所述第二晶片（110）之间的接合界面处的氧化物层（106）的氧化物残留物；源自所述第一层的外周边缘的硅残留物；以及源自所述第一层的外周边缘的、来自微型组件的残留物。

9.一种用于制造多层结构的工艺，该工艺包括以下连续步骤：

-将第一晶片（108）接合至第二晶片（110）以形成多层结构（111a）；

-将所述结构退火；以及

-将所述第一晶片薄化，所述薄化包括化学蚀刻所述第一晶片的至少一个步骤，

该工艺的特征在于，该工艺还包括：在所述化学蚀刻步骤之后，利用根据权利要求1至6中任一项限定的去除工艺去除存在于被薄化的第一晶片（116）的所述露出表面上的材料碎片（118）。

10.根据权利要求9所述的制造工艺，所述工艺还包括在所述接合步骤之前氧化所述第一晶片的步骤。

11.根据权利要求9和10中任一项所述的制造工艺，其中所述化学蚀刻步骤在蚀刻溶液（126）的槽中执行，并且其中在去除所述碎片期间使用的所述溶液是所述蚀刻溶液。