[发明专利]Al基合金溅射靶无效

申请号：	201180010694.1	申请日：	2011-02-25
公开（公告）号：	CN102770576A	公开（公告）日：	2012-11-07
发明（设计）人：	岩崎祐纪;松本克史;高木敏晃;长尾护;莳野秀忠	申请（专利权）人：	株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
主分类号：	C23C14/34	分类号：	C23C14/34;C22C21/00
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	雒运朴
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	al 合金溅射
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【权利要求书】：

1.一种Al基合金溅射靶，其特征在于，含有Ni和稀土元素，设t为Al基合金溅射靶的厚度，在利用背散射电子衍射像法对所述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位<001>、<011>、<111>、<012>及<112>进行观察时，满足下述(1)、(2)的要件：

(1)在将所述<001>±15°、所述<011>±15°及所述<112>±15°的总面积率设为R时，R为0.35以上且0.80以下，其中，各处的R中，所述表层部为R_a，所述1/4×t部为R_b，所述1/2×t部为R_c，并且

(2)所述R_a、所述R_b及所述R_c是在R平均值[R_ave＝(R_a+R_b+R_c)/3]的±20％的范围内。

2.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其中，在利用背散射电子衍射像法对所述Al基合金溅射靶的溅射面观察晶粒粒径时，平均晶粒粒径为40～450μm。

3.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其中，所述Ni的含量为0.05～2.0原子％，所述稀土元素的含量为0.1～1.0原子％。

4.根据权利要求2所述的Al基合金溅射靶，其中，所述Ni的含量为0.05～2.0原子％，所述稀土元素的含量为0.1～1.0原子％。

5.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其还含有Ge。

6.根据权利要求2所述的Al基合金溅射靶，其还含有Ge。

7.根据权利要求3所述的Al基合金溅射靶，其还含有Ge。

8.根据权利要求4所述的Al基合金溅射靶，其还含有Ge。

9.根据权利要求5所述的Al基合金溅射靶，其中，所述Ge的含量为0.10～1.0原子％。

10.根据权利要求6所述的Al基合金溅射靶，其中，所述Ge的含量为0.10～1.0原子％。

11.根据权利要求7所述的Al基合金溅射靶，其中，所述Ge的含量为0.10～1.0原子％。