[发明专利]用于低聚氢化硅烷的方法、可以凭借该方法制得的低聚物及其用途

权利要求书

1.用于低聚氢化硅烷的方法，其中

—使基本上包含至少一种具有最多20个硅原子的非环状氢化硅烷作为氢化硅烷的组合物

—在没有催化剂存在下

—在低于235℃的温度下热转化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法为液相法。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述包含至少一种氢化硅烷的组合物为包含具有重均分子量M_w≤500 g/mol的氢化硅烷混合物的组合物。

4.根据上述任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述包含至少一种氢化硅烷的组合物可通过用于从卤代硅烷制备氢化硅烷的方法制得，其中将下述物质转化形成包含至少一种通式为Si_mX_2m+2 （其中m > n，并且X = F、Cl、Br和/或I）的卤代硅烷和SiX₄ (其中X = F、Cl、Br 和/或I)的混合物并使所述至少一种通式为Si_mX_2m+2的卤代硅烷氢化形成通式为Si_mH_2m+2的氢化硅烷：

i）至少一种通式为Si_nX_2n+2（其中n ≥ 3 并且 X = F、Cl、Br 和/或 I）的卤代硅烷，和

ii）至少一种通式为NRR'_aR''_bY_c的催化剂，其中a = 0或1、b = 0或1、和c = 0或1，并且

其中

aa）-R、R'和/或R''为-C₁-C₁₂-烷基、-C₁-C₁₂-芳基、-C₁-C₁₂-芳烷基、-C₁-C₁₂-氨基烷基、-C₁-C₁₂-氨基芳基、-C₁-C₁₂-氨基芳烷基，和/或

-在c=0的情况下，两个或三个R、R'和R''基团形成包含N的环状的或双环状的、杂脂族或杂芳族体系，

-附加的条件是至少一个残基R、R'或R''不是-CH₃，

和/或

bb）-R和R'和/或R''（在c=1的情况下）为-C₁-C₁₂-亚烷基、-C₁-C₁₂-亚芳基、-C₁-C₁₂-亚芳烷基、-C₁-C₁₂-杂亚烷基、-C₁-C₁₂-杂亚芳基、-C₁-C₁₂-杂亚芳烷基、和/或-N=，

或

cc）-（在a=b=c=0的情况下）R= ≡C-R'''（其中R'''= -C₁-C₁₀-烷基, -C₁-C₁₀-芳基和/或-C₁-C₁₀-芳烷基）。

5.根据上述任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述组合物基本上包含新戊硅烷作为氢化硅烷。

6.根据上述任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述组合物具有至少一种选自下述物质的溶剂，具有1-12个碳原子的直链的、支链的或环状的饱和的、不饱和的烃或芳烃，醇类、醚类、羧酸类、酯类、腈类、胺类、酰胺类、亚砜类和水。

7.根据上述任一权利要求所述的方法，其特征在于，基于所述组合物总质量计，该组合物具有20-80重量%比例的至少一种溶剂。