[发明专利]用于在基材上沉积层的设备和方法

权利要求书

1.用于在物体(20)上沉积由至少两种成分制成的层的设备(10)，其包含：

-用于布置该物体(20)的沉积室(11)，

-至少一个具有待沉积的材料(30)的源(12)，

-至少一个用于控制沉积过程的装置(40)，该装置(40)如此配置：使得在沉积到该物体(20)上之前，在待沉积材料的气相中该待沉积材料的至少一种成分的浓度能够通过选择性结合一定量的所述至少一种成分而改变，其中该至少一种成分的选择性结合的量能够通过改变至少一种与该至少一种成分的结合率主动偶合的控制参数来控制。

2.根据权利要求1的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)如此配置：使得所述至少一种成分的选择性结合的量能够在所述成分的沉积过程期间进行控制。

3.根据权利要求1或者2之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)具有至少一个由对于待控制的该至少一种成分呈化学惰性的材料制成的吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)，该吸气元件布置在所述沉积室(11)中，并且如此配置：使得能够通过将一定量的所述成分物理结合到该吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)上来改变该至少一种成分的浓度。

4.根据权利要求1-3之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)具有至少一个由对于待控制的该至少一种成分呈化学反应性的材料制成的吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)，该吸气元件布置在所述沉积室(11)中，并且如此布置：使得能够通过将一定量的所述成分化学结合到该吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)上来改变该至少一种成分的浓度。

5.根据权利要求3或者4之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)如此配置：使得能够改变该吸气元件的温度和/或活性结合表面和/或电势。

6.根据权利要求3-5之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)具有至少两个配置为电极元件的吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)，能够向该电极元件施加不同的电势，使得提供两种不同配置的吸气元件。

7.根据权利要求3-6之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)如此配置：使得相对于沉积室(11)的壁，能够将不同的电势施加到所述至少一个吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)上。

8.根据权利要求3-7之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)具有至少一个电极，并且如此配置：使得相对于该电极，能够将不同的电势施加到该吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)上。

9.根据权利要求3-8之一的设备(10)，其中所述用于控制沉积过程的装置(40)具有至少一个用于操作和/或定位所述吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)和/或针对该吸气元件的掩蔽元件(42a，42b，42c，42d)的装置(45)，该装置(45)如此配置：使得该吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)和/或掩蔽元件(42a，42b，42c，42d)能够在所述沉积室(11)中移动，并由此能够改变该吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)和/或该掩蔽元件(42a，42b，42c，42d)的位置。

10.根据权利要求3-9之一的设备(10)，其中所述吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)配置为平面元件和/或棒元件和/或栅格元件，和/或该吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)如此配置，使得其至少部分地包围所述源(12)。

11.根据权利要求3-10之一的设备(10)，其中所述吸气元件(41，41a，41b，41c，41d)布置在所述沉积室(11)中和/或形成了所述沉积室(10)的至少一部分。