[发明专利]用于生产半导体材料箔的装置和方法

权利要求书

1.一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，包括铸造框架和基片带，所述铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，所述侧壁的出口侧壁位于所述半导体材料箔的输出位置处，所述出口侧壁设有出口缝，其中所述铸造设备还包括局部力施加装置，以在所述出口缝的位置处将局部相对增大的外力施加在所述熔化的半导体材料上，以使作用在所述出口缝处的所述熔化的半导体材料上的外部压力局部增大。

2.根据权利要求1所述的铸造设备，其中所述力施加装置包括用于生成气体喷流的气体喷流产生器，所述气体喷流具有与所述出口缝的位置处的环境压力相比较高的压力；所述气体喷流产生器被设置用于将所述气体喷流指向所述出口缝。

3.根据权利要求2所述的铸造设备，其中所述气体喷流产生器包括导管、用于增压气体的入口及用于产生所述气体喷流的引出口；所述入口连接到所述导管且所述导管连接到所述引出口。

4.根据权利要求1所述的铸造设备，其中所述力施加装置包括超压设备；所述超压设备设置在所述铸造设备的所述出口侧壁处且适合于在所述出口缝的位置处产生相对于所述外部压力的超压。

5.根据权利要求4所述的铸造设备，其中所述超压设备包括压力调平室、超压室及用于增压气体的入口；所述入口与所述压力调平室的进口相连接，所述压力调平室的出口与所述超压室相连通，所述超压室位于所述铸造框架的所述出口缝处。

6.根据权利要求5所述的铸造设备，其中所述压力调平室沿着所述出口侧壁的宽度延伸且适合于沿着所述出口侧壁的宽度调平气体的压力，且所述超压室大体上沿着所述出口缝的全部宽度延伸。

7.根据权利要求6所述的铸造设备，其中所述压力调平室在所述侧壁的全部宽度上连接到所述超压室，以在所述超压室中在所述出口缝的全部宽度上产生大体恒定的压力。

8.根据权利要求5所述的铸造设备，其中所述超压设备包括设置在所述压力调平室和所述超压室之间的第二压力调平室；所述压力调平室连接到所述第二压力调平室且所述第二压力调平室连接到所述超压室。

9.根据权利要求1所述的铸造设备，包括作为力施加装置的导电线圈，所述导电线圈围绕所述铸造框架不对称地定位且适合于传导交流电流，其中所述导电线圈通过在所述熔化的半导体材料中感应电流以在所述熔化的半导体材料中引起电磁力而适合作为力施加装置。

10.根据权利要求9所述的铸造设备，其中所述导电线圈和所述铸造框架被设置成引起所述电磁力，以在所述出口缝的位置处产生附加的压力，以使所述外部压力增大。

11.根据权利要求10所述的铸造设备，其中所述导电线圈包括一个或多个绕组，所述绕组以倾斜的方式定向，所述出口侧壁的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁处的绕组相对更靠近所述基片带的距离处，所述相对的侧壁处的绕组被定位在距所述基片带相对更大的距离处。

12.根据权利要求10所述的铸造设备，其中所述导电线圈包括一个或多个绕组，其中所述出口侧壁的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁处的绕组相对更靠近所述出口侧壁沿着所述基片带的水平距离处，所述相对的侧壁处的绕组被定位在距所述相对的侧壁相对更大的水平距离处。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的铸造设备，其中所述交流电流是高频电流且具有在大约2kHz和大约50kHz之间的频率。

14.根据权利要求9所述的铸造设备，其中所述导电线圈还适合于通过所述半导体材料中所感应的电流来加热熔化的半导体材料。

15.根据权利要求14所述的铸造设备，其中所述铸造设备还包括用于加热所述熔化的半导体材料的第二加热系统。

16.根据权利要求15所述的铸造设备，其中所述第二加热系统为用于辐射加热的系统。

17.根据前述权利要求中任一项所述的铸造设备，其中在所述出口缝处的所述出口侧壁包括在所述侧壁的内侧上成斜角的刀刃端。

18.根据前述权利要求1-17中任一项所述的铸造设备，包括流量限制壁，所述流量限制壁邻近所述基片带附接到所述出口侧壁的下端；所述流量限制壁适合于延伸所述出口侧壁在所述基片带的移动方向上的长度。