[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201180011129.7 | 申请日: | 2011-01-28 |
公开(公告)号: | CN102782878A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 关本健之;矢田茂郎;松本光弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/076 | 分类号: | H01L31/076;H01L31/18 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,具有:
受光面电极层;
层叠在所述受光面电极层上的第一光电转换部;
层叠在所述第一光电转换部上的包含SiO的反射层;
层叠在所述反射层上的第二光电转换部;和
层叠在所述第二光电转换部上的背面电极层,
所述反射层的氧浓度形成为,所述第二光电转换部一侧比所述第一光电转换部一侧高。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:
所述反射层的氧浓度形成为,从所述第一光电转换部一侧向所述第二光电转换部一侧逐渐地或阶段性地升高。
3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:
所述反射层包含微晶。
4.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,具有:
形成受光面电极层的工序A;
在所述受光面电极层上形成第一光电转换部的工序B;
在所述第一光电转换部上形成的包含SiO的反射层的工序C;
在所述反射层上形成第二光电转换部的工序D;和
在所述第二光电转换部上形成背面电极层的工序E,
在所述工序C中,以使得所述反射层的氧浓度在所述第二光电转换部一侧比所述第一光电转换部一侧高的方式形成。
5.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于:
所述工序C是通过使用含硅的气体和含氧的气体的等离子体CVD法形成所述反射层的工序,以含氧气体的流量在成膜结束时比成膜开始时增多的方式形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的