[发明专利]用于层沉积的方法及装置

权利要求书

1.一种利用沉积装置在基板的表面上沉积层的方法，所述沉积装置包括设置有前体供应部和前体排出部的沉积腔，所述沉积腔在使用时由所述沉积装置及基板表面定界，所述方法包括：将来自所述前体供应部的前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面，将注入的所述前体气体的一部分从所述沉积腔中排出，并沿着所述基板表面的平面使所述沉积腔和所述基板彼此相对定位；所述方法进一步包括：提供第一电极和第二电极，使所述第一电极与所述基板彼此相对定位，并通过在所述第一电极与所述第二电极之间产生高压差而在所述基板附近产生等离子体放电以接触所述基板，其中所述方法包括：在时间和/位置上选择性产生等离子体放电，以利用等离子体在所述基板表面形成图案，从而使所述前体气体接触的所述基板的一部分与所述等离子体接触的所述基板的一部分选择性重叠，所述方法进一步包括：利用设备的载气注射器在所述设备和所述基板表面之间注入载气而形成气体承载层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基板上沉积层之前，在所述基板上形成图案，从而使所述层沉积在已形成图案的基板上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基板附近产生等离子体放电之前，将来自所述前体供应部的所述前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面，从而使所述等离子体与所述基板上存在的前体气体材料反应，以在所述基板上形成所述层或去除所述基板上存在的所述前体气体材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将来自所述前体供应部的前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面与在所述基板附近产生等离子体放电同时进行。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：通过在第一位置使所述第一电极相对于所述第二电极定位而选择性产生等离子体放电，其中，在所述第一位置，所述第一电极与所述第二电极之间的距离小至足以支持高压差下的等离子体放电；以及通过在第二位置使所述第一电极相对于所述第二电极定位而选择性熄灭所述等离子体放电，其中，在所述第二位置，所述第一电极与所述第二电极之间的距离大至足以阻止高压差下的等离子体放电。

6.根据权利要求5所述的方法，所述方法包括：当所述第一电极移动到所述第一位置时，将所述第一电极朝着靠近所述第二电极的方向移动；当所述第一电极移动到所述第二位置时，将所述第一电极朝着远离所述第二电极的方向移动。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：沿着所述基板表面同步定位所述第一电极和所述第二电极。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：提供气体以在气体中形成靠近所述第一电极和/或所述基板的等离子体，和/或包括：将气体从所述第一电极和/或所述基板中排出。

9.一种设备，包括用于在基板的表面进行层沉积例如原子层沉积或化学气相沉积的沉积装置，所述沉积装置包括前体供应部、前体排出部及沉积腔，所述沉积腔在使用时由所述沉积装置及基板表面定界，其中，所述沉积装置布置为用于将来自所述前体供应部的前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面，且布置为将注入的前体气体的至少一部分通过所述前体排出部从所述沉积腔中排出，其中，所述沉积装置包括沉积定位器，所述沉积定位器布置为用于沿着所述基板表面的平面使所述沉积腔和所述基板彼此相对定位，所述设备进一步包括具有第一电极、第二电极及高压源的等离子体装置，所述等离子体装置进一步具有用于对所述第一电极和所述基板进行相对定位的电极定位器，所述等离子体装置布置为通过利用所述高压源在所述第一电极与所述第二电极之间产生电压差而在所述基板附近产生等离子体放电以接触所述基板表面，其中所述设备设置有与所述高压源和/或所述电极定位器接合以在时间和/位置上选择性产生等离子体放电的设备控制器，以利用所述等离子体在所述基板表面形成图案，从而使所述前体气体接触的所述基板的一部分与所述等离子体接触的所述基板的一部分选择性重叠，所述设备进一步包括载气注射器，所述载气注射器布置为用于在所述设备和所述基板表面之间注入载气，所述载气在使用过程中形成气体承载。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第一电极和所述沉积腔在所述设备中沿着通过所述沉积定位器实现的相对运动的方向定位，从而在使用过程中，使通过所述沉积腔处理的所述基板的一部分与所述等离子体处理的所述基板的一部分重叠。