[发明专利]阻气膜及其制造方法、以及使用该阻气膜的器件无效

专利信息
申请号: 201180011472.1 申请日: 2011-01-25
公开(公告)号: CN102781665A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 中村修司;汤上好和;西村协 申请(专利权)人: 株式会社大赛璐;大塞路优越涂层
主分类号: B32B27/00 分类号: B32B27/00;B32B15/082;C23C14/06;C23C14/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张平元;张永新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 阻气膜 及其 制造 方法 以及 使用 器件
【权利要求书】:

1.阻气膜,其在基体材料膜的至少一面上叠层有包含聚合性组合物的固化物的锚固层,并在该锚固层上叠层有包含金属或金属化合物的阻挡层,所述聚合性组合物包含乙烯基类单体和/或预聚物,其中,所述乙烯基类单体和/或预聚物至少包含有机硅(甲基)丙烯酸酯单体和/或预聚物。

2.根据权利要求1所述的阻气膜,其中,乙烯基类单体和/或预聚物包含:有机硅(甲基)丙烯酸酯单体和/或预聚物、和不含硅的乙烯基类单体和/或预聚物。

3.根据权利要求2所述的阻气膜,其中,不含硅的乙烯基类单体和/或预聚物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。

4.根据权利要求2或3所述的阻气膜,其中,有机硅(甲基)丙烯酸酯单体和/或预聚物与不含硅的乙烯基类单体和/或预聚物的比例(重量比)为:前者/后者=1/99~30/70。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的阻气膜,其中,阻挡层中包含的金属或金属化合物是选自金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的至少一种金属化合物。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的阻气膜,其中,阻挡层通过选自真空蒸镀法、离子镀法、溅射法、化学气相沉积法中的一种成膜方法形成,且阻挡层的厚度为20~300nm。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的阻气膜,其中,基体材料膜是包含选自聚酯类树脂及聚碳酸酯类树脂中的至少一种的膜。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的阻气膜,其中,在基体材料膜的另一面上形成有包含聚合性组合物的固化物的硬涂层,所述聚合性组合物包含乙烯基类单体和/或预聚物。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的阻气膜,其中,在基体材料膜的一面上具有多个叠层单元,所述叠层单元包含锚固层和叠层在该锚固层上的阻挡层。

10.根据权利要求1~9中任一项所述的阻气膜,其中,阻挡层上叠层有包含有机材料的保护层。

11.根据权利要求1~10中任一项所述的阻气膜,在其至少一侧的最外层上形成有导电层。

12.权利要求1~11中任一项所述的阻气膜的制造方法,其包括:在基体材料膜的至少一面上涂布至少包含有机硅(甲基)丙烯酸酯单体和/或预聚物的聚合性组合物,然后使其固化来形成锚固层,并在该锚固层上形成包含金属或金属化合物的阻挡层。

13.电子器件,其包含权利要求1~11中任一项所述的阻气膜作为阻气性构件。

14.根据权利要求13所述的电子器件,其为液晶元件、薄膜太阳能电池元件、有机EL元件或电子纸。

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