[发明专利]太阳能面板组件以及用于制造这样的太阳能面板组件的方法无效
申请号: | 201180011504.8 | 申请日: | 2011-01-05 |
公开(公告)号: | CN102782854A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 约翰内斯·阿德里安乌斯·马里亚·范罗斯马伦;波拉·凯瑟琳娜·彼得罗妮拉·布伦斯菲尔德 | 申请(专利权)人: | 荷兰能源建设基金中心 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 面板 组件 以及 用于 制造 这样 方法 | ||
1.一种太阳能面板组件,包括:
透明载体,具有前表面和后表面的多个硅半导体基底部分,所述前表面被配置用于捕获辐射能量;
所述半导体基底部分彼此邻近地配置在所述透明载体上并且通过凹槽彼此分开,每个半导体基底部分以前表面附连至所述透明载体,每个凹槽包括彼此邻近的每个半导体基底部分的侧壁;
所述半导体基底部分是体积导电类型;
每个半导体基底部分的所述前表面配备有第一导电类型的掺杂层;
每个半导体基底部分包括在所述半导体基底部分中用于少数电荷载流子的一个第一电触点,以及在所述半导体基底部分中用于多数电荷载流子的第二电触点;
所述第一电触点配置在所述半导体基底部分的至少所述后表面上,其中所述第一电触点是第一类型的异质结构,所述第一类型的异质结包括在所述半导体基底部分上的本征半导体层以及在所述本征半导体层顶部上的第二导电类型的半导体层,所述第二导电类型与所述第一导电类型是相反的。
2.根据权利要求1所述的太阳能面板,其中所述本征半导体材料层包括无定形硅。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的太阳能面板,其中所述第二导电类型的半导体材料层包括含有一种或多种掺杂剂种类的无定形硅,导致所述第二导电类型。
4.根据前面权利要求中任一项所述的太阳能电池,其中所述本征半导体层覆盖位于邻近半导体基底部分之间的凹槽。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中所述第二导电类型的半导体材料层至少基本上覆盖所述后表面。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中所述第二导电类型的半导体材料层覆盖不包括所述第二电触点的半导体基底部分的侧壁。
7.根据前面权利要求中任一项所述的太阳能电池,其中所述半导体基底部分的前表面配备有防反射涂层以及钝化层。
8.根据前面权利要求中任一项所述的太阳能面板组件,其中所述第一电触点是通过低温结形成方法形成的结。
9.根据前面权利要求1-8中任一项所述的太阳能面板组件,其中所述第二电触点是在所述半导体基底部分的一个侧壁中、所述第一导电类型的高度掺杂接触区。
10.根据前面权利要求1-8中任一项所述的太阳能面板组件,其中所述第二电触点是在邻近所述第一电触点的半导体基底部分后表面的一个部分中、所述第一导电类型的高度掺杂接触区。
11.根据前面权利要求1-8中任一项所述的太阳能面板组件,其中所述第二电触点是第二类型的异质结,所述第二类型的异质结包括基本上在所述半导体基底部分的一个侧壁上的本征半导体层以及所述第一导电类型的半导体层。
12.根据前面权利要求中任一项所述的太阳能面板组件,其中将导电层配置在每个半导体基底部分的所述后表面以及侧壁上,并且其中在每个半导体基底部分上,所述导电层包括位于所述第一电触点的位置与所述第二电触点的位置之间的中断元件。
13.根据权利要求12所述的太阳能面板组件,其中所述中断元件是在所述导电层中的狭缝或在所述导电层中的绝缘体台阶元件。
14.根据从属于权利要求9或权利要求10的权利要求12或权利要求13所述的太阳能面板组件,其中将钝化层配置在所述高度掺杂接触区上,所述钝化层具有用于暴露所述高度掺杂接触区的至少一部分用来与所述导电层连接的开口。
15.根据权利要求10所述的太阳能面板组件,其中位于邻近半导体基底部分之间的所述凹槽填充有绝缘材料。
16.根据权利要求15所述的太阳能面板组件,其中所述绝缘材料是用于将所述太阳能电池封装在太阳能面板中的封装材料。
17.根据权利要求10或权利要求15所述的太阳能面板组件,其中位于邻近半导体基底部分之间的所述凹槽是通过桥接元件桥接的。
18.根据前面权利要求中任一项所述的太阳能面板,其中所述凹槽在从所述透明载体朝向所述半导体基底部分的所述后表面侧的方向上呈楔形。
19.根据前面权利要求中任一项所述的太阳能面板,其中所述凹槽垂直于所述后表面或在从所述半导体基底部分的后表面侧朝向所述透明载体的方向上呈楔形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的