[发明专利]用于使产品衬底与载体衬底脱离的设备和方法有效
申请号: | 201180011757.5 | 申请日: | 2011-03-29 |
公开(公告)号: | CN103620732A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | F.P.林德纳;J.布格拉夫 | 申请(专利权)人: | EV集团有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;刘春元 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 产品 衬底 载体 脱离 设备 方法 | ||
1.一种用于使产品衬底(4)与通过连接层(6)同该产品衬底(4)连接的载体衬底(2)脱离的设备,其具有如下特征:
- 膜框架(1),
- 与该膜框架(1)连接的柔性膜(3),所述柔性膜(3)在膜(3)的接触面区段(3k)中具有用于容纳该产品衬底(4)的粘结层(3s),其中膜(3)在膜(3)的围绕该接触面区段(3k)的附着区段(3b)中与该膜框架(1)连接,
- 通过该膜框架(1)和膜(3)形成的、尤其是容积变化的用于容纳用于分离该连接层(6)的溶剂(22)的储溶剂器(20),其中该产品衬底(4)和该连接层(6)能够被容纳在该储溶剂器(20)中,
- 用于将该溶剂(22)引入到该储溶剂器(20)中的引入装置(23),以及
- 用于使该产品衬底(4)与该载体衬底(2)脱离的脱离装置。
2.根据权利要求1所述的设备,
其特征在于,
溶剂(22)被设置用于至少部分地分离在载体衬底(2)与产品衬底(4)之间的通过连接层(6)引起的连接。
3.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
溶剂(22)尤其是包括选择性地溶解连接层(6)的用于至少部分地分离连接层(6)的液体剂。
4.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
储溶剂器(20)被构造为使得溶剂(22)至少在分离连接层(6)的开始时尤其是仅在产品衬底(4)的周长(4u)的区域中起作用。
5.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
脱离装置以引起作用于载体衬底(2)上的力Fs和与力Fs相反地指向的作用于膜框架(1)上的力Ff的方式被构造。
6.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
膜(3)尤其是通过力Fs和力Ff能够在接触面区段(3k)与附着区段(3b)之间的脱离区段(3a)中被张紧。
7.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
设置有作用到溶剂(22)和/或连接层(6)上的、尤其是邻接膜(3)的和/或可被引入到溶剂(22)中的振荡发生器(10,10')。
8.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
脱离装置同心地以从产品衬底(4)的周长(4u)到产品衬底(4)的中心(4z)起作用的方式被构造。
9.根据上述权利要求之一所述的设备,
其特征在于,
储溶剂器(20)槽形地被构造。
10.一种用于使产品衬底(4)与通过连接层(6)同该产品衬底(4)连接的载体衬底(2)脱离的方法,其具有如下步骤:
- 构造通过膜框架(1)和与该模框架连接的柔性膜(3)形成的储溶剂器(20),用于容纳用于分离该连接层(6)的溶剂(22),
- 在该储溶剂器(20)中容纳该产品衬底(4)和该连接层(6),
- 将该溶剂(22)引入到该储溶剂器(20)中,以及
- 使该产品衬底(4)与该载体衬底(2)脱离。
11.根据权利要求10所述的方法,
其特征在于,
溶剂(22)被用于至少部分地分离在载体衬底(2)与产品衬底(4)之间的通过连接层(6)引起的连接。
12.根据权利要求10或11所述的方法,
其特征在于,
溶剂(22)至少在分离连接层(6)的开始时尤其是仅在产品衬底(4)的周长(4u)的区域中起作用。
13.根据权利要求10至12之一所述的方法,
其特征在于,
通过作用于载体衬底(2)上的力Fs和与力Fs相反地指向的作用于膜框架(1)上的力Ff引起脱离。
14.根据权利要求10至13之一所述的方法,
其特征在于,
产品衬底(4)的脱离同心地从产品衬底(4)的周长(4u)到产品衬底(4)的中心(4z)进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造