[发明专利]双载波放大器电路和方法有效

专利信息
申请号: 201180011968.9 申请日: 2011-03-02
公开(公告)号: CN102844983A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: G·尤哈拉;樊晓华 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要:
搜索关键词: 载波 放大器 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

第一跨导级,具有用于接收信号的输入;

第二跨导级,具有用于接收所述信号的输入;以及

电流组合器电路,耦合至所述第一跨导级的输出以及所述第二跨导级的输出,

其中所述电流组合器电路形成从所述第一跨导级到(i)多个输出路径中的一个输出路径或者(ii)所述多个输出路径中的许多输出路径的路径,

并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级形成去往所述多个输出路径中的一个输出路径的路径时从所述多个输出路径中分离所述第二跨导级,

并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级形成去往所述多个输出路径中的所述许多输出路径的路径时形成从所述第二跨导级到所述多个输出路径中的所述许多输出路径的路径。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述电流组合器电路将来自所述第一跨导级的电流耦合至(i)第一输出路径或第二输出路径中的一个输出路径或者(ii)所述第一输出路径和所述第二输出路径两者,

并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级将电流耦合至所述第一输出路径或所述第二输出路径中的一个输出路径时将从所述第二跨导级到所述第一输出路径和所述第二输出路径两者的电流解耦合,

并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级将电流耦合至所述第一输出路径和所述第二输出路径两者时将来自所述第二跨导级的电流耦合至所述第一输出路径和所述第二输出路径两者。

3.根据权利要求2所述的电路,其中所述电流组合器电路包括配置在所述第二跨导级的输出与所述第一输出路径和所述第二输出路径之间的共源共栅晶体管。

4.根据权利要求2所述的电路,其中所述电流组合器电路包括配置在所述第一跨导级的输出与所述第一输出路径和所述第二输出路径之间的共源共栅晶体管,以将来自所述第一跨导级的电流选择性地耦合至(i)所述第一输出路径或所述第二输出路径或者(ii)所述第一输出路径和所述第二输出路径两者。

5.根据权利要求1所述的电路,

其中所述第一跨导级包括:

第一晶体管,其具有源极、栅极和漏极;以及

第二晶体管,其具有源极、栅极和漏极,

以及其中所述第二跨导级包括:

第三晶体管,其具有源极、栅极和漏极;以及

第四晶体管,其具有源极、栅极和漏极,

其中所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极耦合在一起,以接收所述信号的第一分量,

其中所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合在一起,以接收所述信号的第二分量,

以及其中所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极耦合至所述电流组合器电路。

6.根据权利要求5所述的电路,其中所述电流组合器电路包括:

第五晶体管,具有耦合至所述第一晶体管的漏极的源极;

第六晶体管,具有耦合至所述第一晶体管的漏极的源极;

第七晶体管,具有耦合至所述第二晶体管的漏极的源极;

第八晶体管,具有耦合至所述第二晶体管的漏极的源极;

第九晶体管,具有耦合至所述第三晶体管的漏极的源极;

第十晶体管,具有耦合至所述第三晶体管的漏极的源极;

第十一晶体管,具有耦合至所述第四晶体管的漏极的源极;以及

第十二晶体管,具有耦合至所述第四晶体管的漏极的源极。

7.根据权利要求6所述的电路,

其中所述第五晶体管的漏极耦合至所述第九晶体管的漏极以及第一输出路径的第一末端;

其中所述第七晶体管的漏极耦合至所述第十一晶体管的漏极以及所述第一输出路径的第二末端;

其中所述第六晶体管的漏极耦合至所述第十晶体管的漏极以及第二输出路径的第一末端;以及

其中所述第八晶体管的漏极耦合至所述第十二晶体管的漏极以及所述第二输出路径的第二末端。

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