[发明专利]电阻变化器件以及存储器基元阵列

权利要求书

1.一种电阻变化器件，包括：

包含金属的第一电极；

第二电极；以及

在所述第一和第二电极之间的包含Si和O的非晶氧化物层，该层在从所述第一电极到所述第二电极的方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。

2.根据权利要求1的器件，

其中，所述氧化物层具有沿所述方向的所述浓度梯度的第二峰值。

3.根据权利要求1的器件，

其中，所述氧化物层具有沿所述方向的所述浓度梯度的包括所述第一峰值的多个峰值。

4.根据权利要求1的器件，

其中，所述器件通过将所述第一和第二电极之间的电压改变到选自彼此不同的两个或更多个值中的一个来存储多值数据。

5.根据权利要求4的器件，

其中，所述多值数据的值由在所述第一和第二电极之间提供的且包含所述金属的丝极的长度确定。

6.根据权利要求1的器件，

其中，所述金属为Ag、Ti、Ni、Co、Al、Cr、Cu、W、Hf、Ta以及Zr中的一种。

7.根据权利要求1的器件，

其中，所述第二电极为掺杂有杂质的Si。

8.一种存储器基元阵列，包括：

多个第一布线，其包含金属并向第一方向延伸；

多个第二布线，其向与所述第一方向相交的第二方向延伸；以及

多个存储器基元，其被设置在所述第一和第二布线之间，所述多个存储器基元中的每一个包括电阻变化元件，

其中，所述电阻变化元件包括包含Si和O的非晶氧化物层，并在与所述第一和第二方向相交的第三方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。

9.根据权利要求8的阵列，

其中，所述氧化物层具有沿所述第三方向的所述浓度梯度的第二峰值。

10.根据权利要求8的阵列，

其中，所述氧化物层具有沿所述第三方向的所述浓度梯度的包括所述第一峰值的多个峰值。

11.根据权利要求8的阵列，

其中，所述多个存储器基元中的一个所选择的存储器基元通过将所述多个第一布线中的所选择的第一布线与所述多个第二布线中的所选择的第二布线之间的电压改变到选自彼此不同的两个或更多个值中的一个来存储多值数据。

12.根据权利要求11的阵列，

其中，所述多值数据的值由在所述所选择的第一布线和所述所选择的第二布线之间提供的且包含所述金属的丝极的长度确定。

13.根据权利要求8的阵列，

其中，所述金属为Ag、Ti、Ni、Co、Al、Cr、Cu、W、Hf、Ta以及Zr中的一种。

14.根据权利要求8的阵列，

其中，所述第二布线为掺杂有杂质的Si。

15.一种电阻变化器件，包括：

多个第一电极，每一个所述第一电极包含金属且沿第一方向设置；

多个第二电极，其沿所述第一方向设置，并在与所述第一方向相交的第二方向上逐一面向各所述第一电极；以及

在所述第一电极与所述第二电极之间的包含Si和O的非晶氧化物层，该层在所述第二方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。

16.根据权利要求15的器件，

其中，所述氧化物层具有沿所述第二方向的所述浓度梯度的第二峰值。

17.根据权利要求15的器件，

其中，所述氧化物层具有沿所述第二方向的所述浓度梯度的包括所述第一峰值的多个峰值。

18.根据权利要求15的器件，

其中，所述器件通过将所述第一电极和所述第二电极之间的电压改变到选自彼此不同的两个或更多个值中的一个来在所述第一电极与所述第二电极之间的一部分中存储多值数据。

19.根据权利要求18的器件，

其中，所述多值数据的值由在所述第一电极中的一个和所述第二电极中的一个之间提供的且包含所述金属的丝极的长度确定。

20.根据权利要求15的器件，

其中，所述金属为Ag、Ti、Ni、Co、Al、Cr、Cu、W、Hf、Ta以及Zr中的一种。

21.根据权利要求15的器件，

其中，所述第二电极为掺杂有杂质的Si。