[发明专利]焦平面阵列及其制造方法无效
申请号: | 201180012017.3 | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102884628A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 阿德里亚娜·勒珀达图;佐蒙德·基特尔斯兰德 | 申请(专利权)人: | 森松诺尔技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种形成包括一个或多个像素的焦平面阵列的方法,所述焦平面阵列通过下列步骤来制造:
制备具有设置在表面上的传感材料的第一晶片,所述表面由第一牺牲层覆盖;
制备包括读出集成电路(ROIC)和接触衬垫的第二晶片,所述接触衬垫由第二牺牲层覆盖,在所述第二牺牲层内形成有与所述接触衬垫接触的一个或多个支撑腿,所述支撑腿被另一牺牲层覆盖;
将所述第一晶片的牺牲层和所述第二晶片的牺牲层键合在一起,使得当所述第一晶片的牺牲体层被移除之后,所述传感材料从所述第一晶片转移到所述第二晶片;
限定在所述一个或多个支撑腿中的每个之上的所述传感材料中的像素,并形成穿过每个像素的传导通孔,所述传导通孔被限定以提供所述像素的最上面的表面与其支撑腿之间的连接;以及
移除所述牺牲层,以释放所述一个或多个像素,所述一个或多个像素中的每个被限定,使得其支撑腿被布置成完全在所述像素的所述传感材料之下。
2.如权利要求1所述的方法,还包括在所述第一晶片的所述表面和设置在所述表面上的所述传感材料之间设置反射层的步骤。
3.如权利要求1或2所述的方法,还包括在所述牺牲体层被移除之后,在所述传感材料的所述表面上设置吸收层的步骤。
4.如任一前述权利要求所述的方法,其中所述传感材料是红外(IR)敏感的。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述传感材料是热敏电阻材料,而所述像素是测辐射热仪像素。
6.如任一前述权利要求所述的方法,还包括封装在盖之下的至少一个像素的步骤,所述盖被密封在所述焦平面阵列上。
7.如权利要求6所述的方法,还包括在所述第二晶片上形成至少一个键合构件的步骤,以使盖键合到所述键合构件。
8.如权利要求7所述的方法,其中多个焦平面阵列被设置在所述第二晶片上,每个焦平面阵列由多个键合构件限定,其中所述多个焦平面阵列由单个盖晶片密封,其后它们能够被划分成单独的焦平面阵列。
9.一种热成像设备,包括通过任一前述权利要求的方法制造的焦平面阵列。
10.一种用于焦平面阵列的像素,所述像素包括:
反射层;
传感层,其包括在所述反射层上形成的传感材料;以及
支撑腿,其被连接到与所述传感层相对的侧上的所述反射层,并被布置成在使用中支持晶片上的所述像素,并提供所述像素和所述支撑腿之间的电连接;以及
通孔,其与所述支撑腿相关,每个通孔提供穿过所述传感层从所述支撑腿到所述像素的开放表面的电连接。
11.如权利要求10所述的像素,其形成红外探测器。
12.一种焦平面阵列,所述焦平面阵列由多个根据权利要求10或11的像素形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的