[发明专利]在由非晶质碳膜构成的层的固定化方法及层叠体有效
| 申请号： | 201180012024.3 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102892706A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 涩泽邦彦;佐藤刚 | 申请（专利权）人： | 太阳化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶质碳膜 构成 固定 方法 层叠 | ||
1.一种固定化方法，其特征在于，是在设置于基材上的由非晶质碳膜构成的层的表面将由与该膜的表面的羟基发生缩合反应的材料构成的层进行固定的方法，其中，通过使所述由非晶质碳膜构成的层含有Si和O，从而提高所述由与羟基发生缩合反应的材料构成的层的密合耐久性及结合状态的均匀性。
2.根据权利要求1所述的固定方法，其特征在于，所述与羟基发生缩合反应的材料为疏水性材料或疏水/疏油性材料。
3.根据权利要求2所述的固定方法，其特征在于，所述与羟基发生缩合反应的材料为氟系硅烷偶联剂。
4.根据权利要求1所述的固定方法，其特征在于，所述由该非晶质碳膜构成的层包含二层以上的层，且至少使其最上层含有Si和O。
5.一种层叠体，其具有非晶质碳膜和偶联剂膜，
所述非晶质碳膜成膜于基材上，硅以实质上均匀的浓度被导入于所述非晶质碳膜，并且氧被导入于所述非晶质碳膜的表面和内部，
所述偶联剂膜形成于所述非晶质碳膜的表面且与所述非晶质碳膜的羟基发生缩合反应。
6.一种层叠体，其具有：
含硅氧烷键的非晶质碳膜、和
形成于所述非晶质碳膜的表面且与所述非晶质碳膜的羟基发生缩合反应的偶联剂膜。
7.一种层叠体，其具有：
使用含氧和硅的原料气体而成膜于基材上的非晶质碳膜、和
形成于所述非晶质碳膜的表面且与所述非晶质碳膜的羟基发生缩合反应的偶联剂膜。
8.一种层叠体，其具有非晶质碳膜和偶联剂膜，
所述非晶质碳膜成膜于基材上，硅以实质上均匀的浓度被导入于所述非晶质碳膜，并且氧被导入于所述非晶质碳膜的表面和内部，
所述偶联剂膜形成于所述非晶质碳膜的表面且与所述非晶质碳膜的羟基发生缩合反应。
9.根据权利要求5所述的层叠体，其特征在于，所述与羟基发生缩合反应的材料为疏水性材料、或疏水/疏油性材料。
10.根据权利要求5所述的层叠体，其特征在于，所述与羟基发生缩合反应的材料为氟系硅烷偶联剂。
11.根据权利要求5所述的层叠体，其特征在于，所述由该非晶质碳膜构成的层包含二层以上的层，至少使其最上层含有Si和O。
12.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述非晶质碳膜以实质上均匀的浓度含有氧。
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