[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种氧化物，其用于薄膜晶体管的半导体层，其中，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种的元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。

2.根据权利要求1所述的氧化物，其特征在于，

当作为所述X组的元素含有Al时，Al/(In+Ga+Zn+Al)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Si时，Si/(In+Ga+Zn+Si)×100＝0.1～15原子％，

当作为所述X组的元素含有Ni时，Ni/(In+Ga+Zn+Ni)×100＝0.1～5原子％，

当作为所述X组的元素含有Ge时，Ge/(In+Ga+Zn+Ge)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Sn时，Sn/(In+Ga+Zn+Sn)×100＝0.1～15原子％，

当作为所述X组的元素含有Hf时，Hf/(In+Ga+Zn+Hf)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Ta时，Ta/(In+Ga+Zn+Ta)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有W时，W/(In+Ga+Zn+W)×100＝0.1～10原子％。

3.一种薄膜晶体管，其具备权利要求1所述的氧化物作为薄膜晶体管的半导体层。

4.一种薄膜晶体管，其具备权利要求2所述的氧化物作为薄膜晶体管的半导体层。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层的密度为5.8g/cm³以上。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层的密度为5.8g/cm³以上。

7.一种溅射靶材，其用于形成权利要求1所述的氧化物，并且包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。

8.一种溅射靶材，其用于形成权利要求2所述的氧化物，并且包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中至少一种元素。

9.根据权利要求7所述的溅射靶材，其中，

当作为所述X组的元素含有Al时，Al/(In+Ga+Zn+Al)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Si时，Si/(In+Ga+Zn+Si)×100＝0.1～15原子％，

当作为所述X组的元素含有Ni时，Ni/(In+Ga+Zn+Ni)×100＝0.1～5原子％，

当作为所述X组的元素含有Ge时，Ge/(In+Ga+Zn+Ge)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Sn时，Sn/(In+Ga+Zn+Sn)×100＝0.1～15原子％，

当作为所述X组的元素含有Hf时，Hf/(In+Ga+Zn+Hf)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Ta时，Ta/(In+Ga+Zn+Ta)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有W时，W/(In+Ga+Zn+W)×100＝0.1～10原子％。

10.根据权利要求8所述的溅射靶材，其中，

当作为所述X组的元素含有Al时，Al/(In+Ga+Zn+Al)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Si时，Si/(In+Ga+Zn+Si)×100＝0.1～15原子％，

当作为所述X组的元素含有Ni时，Ni/(In+Ga+Zn+Ni)×100＝0.1～5原子％，

当作为所述X组的元素含有Ge时，Ge/(In+Ga+Zn+Ge)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Sn时，Sn/(In+Ga+Zn+Sn)×100＝0.1～15原子％，

当作为所述X组的元素含有Hf时，Hf/(In+Ga+Zn+Hf)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有Ta时，Ta/(In+Ga+Zn+Ta)×100＝0.1～10原子％，

当作为所述X组的元素含有W时，W/(In+Ga+Zn+W)×100＝0.1～10原子％。