[发明专利]光学元件有效
申请号: | 201180013633.0 | 申请日: | 2011-06-20 |
公开(公告)号: | CN102812386A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 楠幸久 | 申请(专利权)人: | 住友电工硬质合金株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 元件 | ||
1.一种光学元件,其包括:
基材;以及
红外抗反射膜;
其中所述基材包含ZnSe,
其中所述红外抗反射膜形成在所述基材的至少一个表面上,并且包括
主要由BaF2制成的低折射率层,
由ZnSe、ZnS或Ge制成的高折射率层,以及
由非晶形材料或各向异性材料制成的中间层,
其中所述红外抗反射膜的表面粗糙度Ra小于或等于3nm。
2.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述红外抗反射膜在10.6μm波长下的吸收率为小于或等于0.25%。
3.根据权利要求1或2所述的光学元件,其中所述红外抗反射膜在10.6μm波长下的吸收率为大于或等于0.18%且小于或等于0.24%。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学元件,其中所述中间层是由选自由镧系元素氟化物、PbF2和YF3组成的组中的一种或多种氟化物制成的层,或者是由包含选自由镧系元素氟化物、PbF2和YF3组成的组中的一种或多种氟化物和BaF2的固溶体制成的层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学元件,其中所述中间层包括形成在所述低折射率层和所述基材之间的第一中间层。
6.根据权利要求5所述的光学元件,其中所述第一中间层的厚度为大于或等于10nm。
7.根据权利要求5所述的光学元件,其中所述第一中间层的厚度为小于或等于1,000nm。
8.根据权利要求7所述的光学元件,其中所述中间层还包括形成在所述高折射率层和所述低折射率层之间的第二中间层,并且其中所述第一中间层的厚度为大于或等于10nm且小于或等于1,000nm。
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