[发明专利]排气处理系统

权利要求书

1.一种对从半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体进行处理的排气处理系统，其特征在于，包括：

泵，其将从半导体制造装置排出的混合气体排出；

压缩机，其将由所述泵排气的混合气体压缩后送到后级；

气体收容部，其收集被压缩的混合气体并收容；

流量控制部，其对从所述气体收容部供给的混合气体的流量进行控制；以及

膜分离部，其选择性地透过氢且从混合气体中分离单硅烷和氢。

2.根据权利要求1所述的排气处理系统，其特征在于，

在要开始运转时，在所述气体收容部中蓄压后开始运转。

3.根据权利要求1或2所述的排气处理系统，其特征在于，

还包括对所述膜分离部的非透过侧压力进行控制的压力控制部。

4.一种对从半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体进行处理的排气处理系统，其特征在于，包括：

膜分离部，其选择性地透过氢且从混合气体中分离单硅烷和氢；

氢回收率获取手段，其获取关于被所述膜分离部分离的氢的回收率的信息，并计算出氢回收率；以及

压力控制部，其根据氢回收率的变化对所述膜分离部的透过侧压力进行控制。

5.根据权利要求4所述的排气处理系统，其特征在于，

所述压力控制部基于下式使透过侧压力变化，

ΔP＝C₁×ΔA，且C₁≥0.5

其中，ΔA表示氢回收率的减少幅度(％)，ΔP表示透过侧压力的减少量(KPa)。

6.一种对从半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体进行处理的排气处理系统，其特征在于，包括：

膜分离部，其选择性地透过氢且从混合气体中分离单硅烷和氢；

氢回收率获取手段，其获取关于被所述膜分离部分离的氢的回收率的信息，并计算出氢回收率；以及

温度控制部，其根据氢回收率的变化对流入所述膜分离部的混合气体的温度进行控制。

7.根据权利要求6所述的排气处理系统，其特征在于，

所述温度控制部基于下式使流入所述膜分离部的混合气体的温度变化，

ΔT＝C₂×ΔA，且C₂≥0.8

其中，ΔA表示氢回收率的减少幅度(％)，ΔT表示混合气体的温度上升幅度(℃)。

8.根据权利要求4～7的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，

所述氢回收率获取手段包括：

混合气体分析部，其对流入所述膜分离部的混合气体的流量及氢浓度和单硅烷浓度进行测定，以及

透过侧气体分析部，其对透过所述膜分离部而被分离的气体的流量及氢浓度和单硅烷浓度进行测定。

9.根据权利要求4～8中任一项所述的排气处理系统，其特征在于，

所述氢回收率获取手段包括：

流量控制部，其对流入所述膜分离部的混合气体的流量进行控制，

混合气体分析部，其对被控制了流量的混合气体中的氢浓度和单硅烷浓度进行测定，以及

透过侧气体分析部，其对透过所述膜分离部而被分离的气体的流量及氢浓度和单硅烷浓度进行测定。

10.一种从半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体中经膜分离而将各自的气体分离的排气处理系统，其特征在于，包括：

气体添加部，其向从所述半导体制造装置排出的混合气体中添加第3成分气体，

膜分离装置，其具有选择性地透过氢的半透膜，且从添加有第3成分气体的混合气体中分离单硅烷和氢，以及

氢回收率获取手段，其获取被所述膜分离装置分离后的氢的回收率；

其中，所述气体添加部按照下式使第3成分的添加量变化，

ΔF＝C₁×ΔA，且C₁≥0.3

其中，ΔA表示氢回收率的减少幅度(％)，ΔF表示第3成分气体的添加量的减少幅度(L/min)。