[发明专利]电子材料的清洗方法和清洗系统有效
申请号: | 201180013890.4 | 申请日: | 2011-03-02 |
公开(公告)号: | CN102844845A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 山川晴义;床嶋裕人 | 申请(专利权)人: | 栗田工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/08;B08B3/10;G03F7/42;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔香丹;张永康 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 材料 清洗 方法 系统 | ||
1.一种电子材料的清洗方法,其特征在于,具有:
试剂清洗工序,该试剂清洗工序使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料;和
湿式清洗工序,该湿式清洗工序使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料。
2.如权利要求1所述的电子材料的清洗方法,其特征在于,将接触了所述电子材料的功能性试剂回收,将该功能性试剂再次电解后进行再利用。
3.如权利要求1或2所述的电子材料的清洗方法,其特征在于,使所述功能性试剂以被加热到100~200℃的状态接触电子材料。
4.如权利要求1~3中任一项所述的电子材料的清洗方法,其特征在于,所述功能性试剂的硫酸浓度为80~96质量%。
5.如权利要求1~4中任一项所述的电子材料的清洗方法,其特征在于,
用于所述硫酸的电解的电极的至少阳极为导电性金刚石电极,
所述功能性试剂含有通过利用所述阳极的氧化反应而生成的过硫酸。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电子材料的清洗方法,其特征在于,所述由气体和液体形成的液滴的射流是由选自氮、氧、稀有气体、清洁空气、二氧化碳、臭氧中的一种气体或两种以上的混合气体、和纯水形成的。
7.如权利要求1~6中任一项所述的电子材料的清洗方法,其特征在于,将所述电子材料固定在旋转装置上进行单片清洗。
8.一种电子材料清洗系统,其特征在于,具备:
试剂清洗设备,该试剂清洗设备使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料;和
湿式清洗设备,该湿式清洗设备使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料。
9.如权利要求8所述的电子材料清洗系统,其特征在于,具备回收设备,该回收设备回收接触了所述电子材料的功能性试剂。
10.如权利要求8或9所述的电子材料清洗系统,其特征在于,具备加热设备,该加热设备加热所述功能性试剂。
11.如权利要求8~10中任一项所述的电子材料清洗系统,其特征在于,所述试剂清洗设备具有电解反应装置,该电解反应装置电解硫酸溶液来制造含过硫酸的硫酸溶液。
12.如权利要求8~11中任一项所述的电子材料清洗系统,其特征在于,所述电解反应装置的电极的至少阳极为导电性金刚石电极。
13.如权利要求8~12中任一项所述的电子材料清洗系统,其特征在于,所述湿式清洗设备具备二流体喷嘴,该二流体喷嘴具有纯水供给管道和惰性气体供给管道。
14.如权利要求8~13中任一项所述的电子材料清洗系统,其特征在于,具备旋转装置,该旋转装置可固定所述电子材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造