[发明专利]压电薄膜器件和压电薄膜装置

权利要求书

1.一种压电薄膜器件，其具有基板和设置于所述基板上的用组成式(K_1-xNa_x)_yNbO₃表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜，所述压电薄膜的碳浓度为2×10¹⁹/cm³以下。

2.一种压电薄膜器件，其具有基板和设置于所述基板上的用组成式(K_1-xNa_x)_yNbO₃表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜，所述压电薄膜的氢浓度为4×10¹⁹/cm³以下。

3.根据权利要求1或2所述的压电薄膜器件，其中，所述压电薄膜为准立方晶且在（001)面方位优先取向。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的压电薄膜器件，其中，所述压电薄膜的组成为0.4≤x≤0.7且0.75≤y≤0.90。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的压电薄膜器件，其中，该压电薄膜器件在所述基板与所述压电薄膜之间设置有基底层。

6.根据权利要求5所述的压电薄膜器件，其中，所述基底层为Pt层，且所述Pt层在（111）面方位优先取向。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的压电薄膜器件，其特征在于，所述基板为Si基板、带有表面氧化膜的Si基板或SOI基板。

8.一种压电薄膜装置，其具备：权利要求1~7中任一项所述的压电薄膜器件；夹持所述压电薄膜器件的所述压电薄膜而上下设置的上部电极及下部电极；连接于所述上部电极和下部电极之间的电压施加单元或电压检测单元。