[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置。

背景技术

电极被设置在上面及下面的表面发光型的发光元件的发射光的一部分被上面或者下面的电极遮住。而且，由于通过热传导的散热也只限于下面，因此散热性不良，在增大电流密度上存在极限。因此，为了达到高亮度就需要制作大面积的芯片。

而且，表面发光型的发光元件具有Lambertian（朗伯）辐射模式，其半峰全宽例如可以扩展到120度。因此，发射光很难得到聚集。

与此相对，端面辐射型的半导体激光（Semiconductor Laser：半导体激光、Diode Laser：二极管激光、Laser Diode：LD（激光二极管））可以从微小的侧面的点（波导路端）发射强指向性的光束。有效地利用该特性而应用于CD/DVD/蓝光（Blue－Ray）等光盘装置、高速工作的光纤通信设备等。此时，由于是将光束向单横向模式的微小光点进行光学聚光，进行微小光点的读取、光纤结合，因此基本使用于昂贵的光学系统。

具有这种强指向性的光束的LD可以应用于线状光源。在线状光源中，例如，来自LD的光束从导光体一侧的端面侧入射，在下面被反射的同时朝上面方向射出。吸收了该射出光束的发光体可以发射可见光。这样的线状光源可以使用于汽车用雾灯、显示装置的背光光源等。而且，LD也可以作为扫描型光源进行应用。例如，可以将光束使用于进行扫描的投影型显示装置。在线状光源、扫描型光源的情况下，LD也可以是进行多横向模式动作。因此，其光学系统不需要制作得相当微小。

在这种线状光源、投影型显示装置的用途中，需要小型、散热性及安装性优异且使用量产性优良的封装的发光装置。

在专利文献1中，公开有发光特性不退化、生产率良好的LED。在该例子中，LED（Light Emitting Diode：发光二极管）芯片被1对引线部夹着。而且，玻璃材料被设置为不接触LED芯片而包围其周围。

专利文献1：日本国特开2005－333014号公报

发明内容

本发明提供一种散热性得到改善且容易向照明装置等上安装的发光装置。

根据本发明的一个形态，提供一种发光装置，其特征在于，具备：第1板极，具有第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；第2板极，具有第3主面和所述第3主面相反侧的第4主面；发光元件，配置在所述第1主面与所述第3主面之间，具有：半导体积层体，具有面对所述第1主面且比所述第1主面小的第5主面与面对所述第3主面且比所述第3主面小的第6主面，且含有发光层；第1电极，设置在所述第5主面上；及第2电极，设置在所述第6主面上，从所述发光层发射的光束的光轴与所述第5主面和所述第6主面之间的所述半导体积层体的侧面垂直；及绝缘体，被设置为与所述第1板极和所述第2板极接触，具有形成于所述光轴上的窗口部，所述光束可以通过所述窗口部向外部发射。

本发明提供一种散热性得到改善且容易向照明装置等上安装的发光装置。

附图说明

图1（a）是本发明第1实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图1（b）是发光元件的模式立体图。

图2（a）～（d）是说明发光装置的组装工序的模式图。

图3（a）及（b）是表示板极与绝缘体的紧贴结构的模式剖视图。

图4（a）及（b）是表示光束射出方向的模式剖视图。

图5（a）～（c）是第2实施方式涉及的发光装置及其变形例的模式剖视图。

图6（a）是第3实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图6（b）是模式剖视图。

图7（a）是第4实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图7（b）是沿着A－A线的模式剖视图。

图8（a）及图8（b）是第5实施方式涉及的发光装置的模式立体图。

图9（a）～（e）是第6实施方式涉及的发光装置的模式图。

图10（a）～（f）是第7实施方式涉及的发光装置的模式立体图。

图11是使用本实施方式涉及的发光装置的线状光源的模式剖视图。

图12（a）是第8实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图12（b）是沿着B－B线的模式剖视图，图12（c）是第1变形例的模式剖视图，图12（d）是第2变形例的模式剖视图。

图13（a）是第9实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图13（b）是其变形例的模式立体图。