[发明专利]具有穿透衬底互连的微电子装置及相关制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

半导体衬底；

第一金属化层和第二金属化层，所述第二金属化层与所述半导体衬底间隔开，其中 所述第一金属化层位于其间；和

导电互连，其至少部分延伸穿透所述半导体衬底，其中所述第二金属化层包括对应 于所述导电互连的第一部分以及从所述第一部分横向延伸的第二部分，且其中所述导电 互连包括第一端及与所述第一端相对的第二端，且其中所述导电互连的所述第一端包括 横向延伸到所述第二金属化层的所述第一部分的横向部分，且其中所述导电互连的所述 第一端电耦合到所述第二金属化层的所述第一部分且与所述第二金属化层的所述第一 部分直接接触；且

其中所述第一金属化层经由所述第二金属化层与所述导电互连电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述半导体衬底包括第一侧和第二侧；

所述半导体装置还包括：

绝缘体，其位于所述半导体衬底的所述第一侧与所述第一金属化层之间；

集成电路，其位于所述半导体衬底之上或其中；

导电链路，其至少部分位于所述绝缘体中，所述导电链路位于所述集成电路与所 述第一金属化层之间；

电介质，其位于所述第一金属化层与所述第二金属化层之间；且

所述电介质包括直接位于所述第一金属化层与所述第二金属化层的所述第二部 分之间的导电导通孔；和

焊料球，其在所述半导体衬底的所述第二侧附接到所述导电互连的所述第二端。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述半导体衬底包括第一侧和第二侧；

所述半导体装置还包括：

绝缘体，其位于所述半导体衬底的所述第一侧与所述第一金属化层之间；

集成电路，其位于所述半导体衬底之上或其中；

导电链路，其至少部分位于所述绝缘体中，所述导电链路于所述集成电路与所述 第一金属化层之间延伸；和

电介质，其位于所述第一金属化层与所述第二金属化层之间；

所述电介质包括第一导电导通孔和与所述第一导电导通孔间隔开的第二导电导通 孔，所述第一导电导通孔直接位于所述第一金属化层与所述第二金属化层的所述第二部 分之间，所述第二导电导通孔直接位于所述第二金属化层的所述第一部分与所述导电互 连的所述第一端之间；和

焊料球，其在所述半导体衬底的所述第二侧附接到所述导电互连的所述第二端。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述半导体衬底包括第一侧和第二侧；

所述第二金属化层包括第一金属化表面和与其相对的第二金属化表面；且

所述半导体装置还包括：

绝缘体，其位于所述半导体衬底的所述第一侧与所述第一金属化层之间；

集成电路，其位于所述半导体衬底之上或其中；

导电链路，其至少部分位于所述绝缘体中，所述导电链路位于所述集成电路与所 述第一金属化层之间；

电介质，其位于所述第一金属化层与所述第二金属化层之间；且

所述电介质包括直接位于所述第一金属化层与所述第二金属化层之间的导电导 通孔；

所述导电互连包括：

孔，其至少部分于所述半导体衬底的所述第一侧与所述第二侧之间延伸；

位于所述孔中的导电材料的第一区段；

位于所述孔外部的所述导电材料的第二区段；

所述导电材料的所述第二区段在所述第一区段上横向延伸；且

所述第二区段与所述第二金属化层的所述第二金属化表面的至少一部分直接接 触；和

焊料球，其在所述半导体衬底的所述第二侧附接到所述导电互连的所述第二端。