[发明专利]具有改善的屏障膜粘附的抗湿光伏器件有效
申请号: | 201180014652.5 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN102812558A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | M·W·德格鲁特;P·R·埃洛韦 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/0392 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改善 屏障 粘附 抗湿光伏 器件 | ||
1.一种光伏器件,包括:
a)衬底,其具有光入射面和背侧面且包含至少一种光电吸收剂和在一部分光入射面上的至少一个电接触;
b)在至少一部分电接触上的光透射的粘附促进区,其包含金属层或金属氮化物层或金属碳化物层或其组合;和
c)位于粘附促进区上的光透射的介电屏障区。
2.如权利要求1的光伏器件,其中所述吸收剂是含硫属元素化物的吸收剂,其包含铜、铟和任选的镓。
3.如权利要求2的光伏器件,进一步包括在所述光入射面上的透明导电层,其中所述电接触位于所述透明导电层的一部分上。
4.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述光伏器件在暴露于85℃和85%的相对湿度至少1000小时的时间后保持其初始效率的至少90%。
5.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述粘附促进区包含Cr、Ti、Ta、TiNx、TaNx、TiCx、TaCx或者是由类似物质的组合构成的多层结构。
6.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述电接触包括电栅。
7.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述电接触包含Ag或Ag/Ni。
8.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述介电屏障区选自氮化硅、氧化硅、碳化硅和/或其组合。
9.如权利要求3-8任一项的光伏器件,其中所述器件进一步包括所述透明导电层和所述吸收剂层之间的缓冲层。
10.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述粘附促进区在400nm至1300nm之间具有高于或等于约70%的透光率。
11.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述粘附促进区具有小于200nm的厚度。
12.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述屏障区的透光率在400nm至1300nm之间高于或等于约70%。
13.如前述权利要求任一项的光伏器件,其中所述粘附促进区进一步起到针对Na、Li和镧系元素迁移到介电屏障区中的屏障的作用。
14.一种制备光伏器件的方法,包括以下步骤:
a)提供衬底,其具有光入射面和背侧面且包含至少一种光电吸收剂层、至少一个位于所述吸收剂层和所述光入射面之间的透明导电层及至少一个电接触;
b)使得在至少一部分电接触上形成包含金属层或金属氮化物层或金属碳化物层或其组合的光透射的粘附促进区;和
c)使得在所述粘附促进材料上形成介电屏障区。
15.如权利要求14的方法,其中所述吸收剂是含硫属元素化物的吸收剂,其包含铜、铟中的至少一种和任选的镓,所述粘附促进区包含Cr、Ti、Ta、TiNx、TaNx、TiCx、TaCx或者是由类似物质的组合构成的多层结构,所述电接触包含Ag或Ag/Ni,且所述介电屏障区选自氮化硅、氧化硅、碳化硅和/或其组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司,未经陶氏环球技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180014652.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:黄色分散染料的制造方法
- 下一篇:一种太阳能电池及其主栅线
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的