[发明专利]等离子处理装置有效
申请号: | 201180015135.X | 申请日: | 2011-03-10 |
公开(公告)号: | CN102884223A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 川崎真一;野上光秀;中野良宪;佐藤崇 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,使含有凝结性的反应成分的反应气体与被处理物接触并且照射等离子,所述等离子处理装置的特征在于,具备:
一对电极,在所述一对电极相互之间形成用于所述等离子照射的接近大气压的放电空间;
喷嘴,该喷嘴的具有喷出口的前端部由绝缘体构成,且所述前端部配置在所述一对电极的至少一方或所述放电空间的附近,使所述反应气体从所述喷出口喷向所述被处理物;
喷嘴温度调节机构,其调节所述喷嘴的温度,
所述喷嘴温度调节机构包括:温度调节路径,其形成在所述喷嘴上而供温度调节液通过;液温调节部,其以从所述电极及所述喷嘴分离的方式配置,且将所述温度调节液的温度调节成比所述反应气体中的反应成分的凝结温度高的高温;管路,其将所述液温调节部和所述温度调节路径连结。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述温度调节液具有绝缘性。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述温度调节液的导电率为50μS/cm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述被处理物为连续的膜,所述一对电极中的至少一方为卷挂有所述被处理物并进行旋转的圆筒电极,所述喷嘴与所述圆筒电极接近,
所述等离子处理装置还具备膜温度调节机构,该膜温度调节机构将所述圆筒电极的温度及所述被处理物的温度调节成比所述凝结温度低的低温。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述喷嘴沿与所述被处理物的输送方向正交的处理宽度方向延伸,所述温度调节路径从所述喷嘴的所述处理宽度方向的一端部设置到另一端部。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述温度调节路径包括温度调节去路和温度调节回路,所述温度调节去路使所述温度调节液朝向所述处理宽度方向上的一个方向流动,所述温度调节回路使所述温度调节液朝向所述一个方向的相反方向流动,所述温度调节去路的下游端和所述温度调节回路的上游端通过折返路相连。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述温度调节路径具备上游路径、下游路径和连接路径,所述上游路径包括配置成彼此高度相同而分别供所述温度调节液按照每一部分流动的第一上游路径部分、第二上游路径部分,所述下游路径配置在比所述上游路径高的部位,所述连接路径上下延伸,该连接路径的下端部与所述上游路径连接,且该连接路径的上端部与所述下游路径连接,所述温度调节液按照所述上游路径、所述连接路径、所述下游路径的顺序流动。
8.根据权利要求7所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述上游路径包括分支成所述第一上游路径部分和所述第二上游路径部分的分支部。
9.根据权利要求7或8所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述下游路径包括配置成彼此高度相同而分别供所述温度调节液按照每一部分流动的第一下游路径部分、第二下游路径部分,所述连接路径包括将所述第一上游路径部分和所述第一下游路径部分连接的第一连接路径部分、将所述第二上游路径部分和所述第二下游路径部分连接的第二连接路径部分。
10.根据权利要求9所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述下游路径包括所述第一下游路径部分和所述第二下游路径部分汇合的汇合部。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的