[发明专利]单晶3C-SiC基板的制造方法以及通过该方法获得的单晶3C-SiC基板

权利要求书

1.一种单晶3C-SiC基板的制造方法，通过在基础基板上外延生长形成单晶3C-SiC层，其特征在于，

进行第一生长阶段和第二生长阶段，在该第一生长阶段中，以成为由平坦性较高的表面和散布在该表面中的表面微孔构成的表面状态的方式来形成所述单晶3C-SiC层，在该第二生长阶段中，以掩埋所述表面微孔的方式使在所述第一生长阶段中所获得的单晶3C-SiC层进一步外延生长。

2.根据权利要求1所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

所述第一生长阶段在输送速率控制的区域中外延生长，所述第二生长阶段在脱离速率控制的区域中外延生长。

3.根据权利要求1或2所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

通过降低原料气体流量、降低成膜压力、提高基板温度中的至少之一来进行从所述第一生长阶段向第二生长阶段的切换。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

使用由至少表层部分含有Si的半导体结晶构成的基础基板。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

使用至少表层部分由Si构成的基础基板，对所述基础基板的表层部的Si进行炭化处理而变成SiC层，并以所述SiC层为种子层进行所述第一生长阶段以及第二生长阶段的外延生长。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

通过在所述基础基板上外延生长形成单晶3C-SiC层时的原料气体的主要成份是甲基硅甲烷。

7.根据权利要求6所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

在所述第一生长阶段中，基板温度在970℃以上1120℃以下，含在所述原料气体中的每片晶片的甲基硅甲烷的流量在1.0sccm以上30.0sccm以下，成膜压力超过9×10^-6Torr且在4×10^-1Torr以下，

在所述第二生长阶段中，含在所述原料气体中的每片晶片的甲基硅甲烷的流量在6.0sccm以下，基板温度在1100℃以上且未满基础基板的熔点，成膜压力在1×10^-7Torr以上且在6×10^-5Torr以下。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的单晶3C-SiC基板的制造方法，其特征在于，

通过在基础基板上外延生长所形成的单晶3C-SiC层的主面方位是(111)。

9.一种单晶3C-SiC基板，通过在基础基板上外延生长形成有单晶3C-SiC层，其特征在于，

存在于单晶3C-SiC层的表面的表面微孔所产生的缺陷的数目在紧接外延生长之后的状态下为8×10⁶个/cm²以下。