[发明专利]太阳能发电装置及其制造方法

权利要求书

1.太阳能电池装置，包括：

支撑基板；

第一和第二背电极，在支撑基板上彼此隔离开；

光吸收部分，在第一背电极上；

第一缓冲部分，在该光吸收部分上；

第二缓冲部分，在第一缓冲部分上；

第一阻挡层，该阻挡层从第一缓冲部分延伸并被设置于所述光吸收部分的侧面；以及

第一虚设部分，该虚设部分从第一阻挡层延伸并被设置于第二背电极的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池装置，进一步包括：

窗口，该窗口在第二缓冲部分上；以及

连接部分，该连接部分从该窗口延伸并与第二背电极连接，

其中，第一阻挡层插入在所述光吸收部分和所述连接部分之间。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池装置，其中，第一虚设部分的厚度范围是1nm到80nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池装置，进一步包括：

第二阻挡层，该第二阻挡层从第二缓冲部分延伸并被设置于所述光吸收层的侧面；以及

第二虚设部分，该第二虚设部分从第二阻挡层延伸并被设置于第一虚设部分上。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池装置，其中，第二阻挡层的厚度比第二缓冲部分的厚度要厚。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池装置，其中，第一缓冲部分，第一阻挡层和第一虚设部分彼此一体化地形成，同时第二缓冲部分、第二阻挡层和第二虚设部分彼此一体化地形成。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池装置，其中，第一阻挡层包含CdS，第二阻挡层包含掺Ga的氧化锡。

8.根据权利要求4所述的太阳能电池装置，其中，第一阻挡层包含CdS，以及第二阻挡层包含不掺杂的i-ZnO。

9.一种太阳能电池装置，包含：

支撑基板；

背电极层，在支撑基板上；

光吸收层，在背电极层上并含有一个通孔；

第一缓冲层，该缓冲层在光吸收层的顶部表面、所述通孔的内壁以及该通孔的底部表面；

第二缓冲层，在第一缓冲层上；以及

窗口层，在第二缓冲层上。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池装置，其中，第一缓冲层覆盖所述通孔底部表面的全部区域。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池装置，其中，形成在所述通孔底部表面的第一缓冲层的厚度范围是1nm到80nm。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池装置，其中，第二缓冲层包含掺杂Ga的氧化锡。

13.根据权利要求9所述的太阳能电池装置，其中，形成在所述通孔内壁的第二缓冲层的厚度比形成在光吸收层上的第二缓冲层的厚度厚。

14.一种太阳能电池装置的制造方法，该方法包括：

在支撑基板上形成背电极层；

在该背电极层上形成光吸收层；

在该光吸收层上形成通孔；

在所述光吸收层的顶部表面、所述通孔的内壁以及所述通孔的底部表面形成第一缓冲层；

在第一缓冲层上形成第二缓冲层；

在第二缓冲层上形成窗口层。

15.根据权利要求14的所述的方法，其中，在形成所述通孔时，光吸收层通过使用机械装置或激光被图案化使得所述背电极层的一部分被露出。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在形成第二缓冲层时，形成第二缓冲层的材料在相对于所述支撑基板倾斜的方向被沉积。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成第二缓冲层时，不掺杂的i-ZnO或掺Ga的氧化锡在相对于所述支撑基板倾斜的方向上被沉积在第一缓冲层上。