[发明专利]半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法

权利要求书

1.一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件，其开孔率在0.3％以下，由含有选自氧化钬以及氧化铒构成的群的至少1种的烧结体构成，所述烧结体中，分散有包含了选自Mg、Ca以及Sr构成的群的至少1种和O以及F中的至少1种的晶界相。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用耐腐蚀性构件，该耐腐蚀性构件的体积密度为8.1～8.4g/cm³，由氧化钬的烧结体构成。

3.一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件的制法，将选自氧化钬以及氧化铒构成的群的至少1种的氧化物原料，与作为烧结助剂的选自Mg、Ca以及Sr构成的群的至少1种元素的氟化物一起，成形为目标半导体制造装置用耐腐蚀性构件的形状后，在惰性气氛下，以低于规定的烧成温度的温度进行热压烧成，由此令所述氧化物原料烧结，得到开孔率在0.3％以下的烧结体，

所述规定的烧成温度是设定为1500～1800℃间的规定的温度。

4.根据权利要求3所述的半导体制造装置用耐腐蚀性构件的制法，其中，令所述氧化物原料烧成，得到开孔率在0.3％以下的烧结体后，在1000℃以上进行空气退火处理。