[发明专利]金属基基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201180015855.6 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102822112A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 守屋要一;胜部毅;武森祐贵;金森哲雄;杉本安隆;高田隆裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/16;C04B37/02;H05K1/05;H05K3/44;H05K3/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 基基板 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属基基板，其特征在于，具有
金属板、
在所述金属板上形成的厚1～5μm的玻璃层、
在所述玻璃层上形成的低温烧结陶瓷层。
2.如权利要求1所述的金属基基板，其特征在于，所述玻璃层由所述金属板的至少表面的成分和所述述低温烧结陶瓷层的成分中的至少一部分形成。
3.如权利要求1或2所述的金属基基板，其特征在于，
所述金属板至少在表面含有Cu成分，
所述玻璃层由Cu-Ba-Si系玻璃形成，
所述低温烧结陶瓷层含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅。
4.一种金属基基板的制造方法，其特征在于，具备：
准备至少在表面含有Cu成分的金属板的工序；
通过在金属板的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体的工序；
在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对所述生的层叠体进行烧成的工序。
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