[发明专利]用于执行与多个管芯的图案对准的方法和装置

权利要求书

1.一种在多层堆栈的制造中在直接写入机中图案化第一工件的一层的方法，其中所述直接写入机设置有用于控制在其上分布有多个管芯的所述第一工件的第一层上的写操作的坐标系，其中所述多个管芯每个具有多个连接点；

所述方法包括下列步骤：

a.检索表示所述第一工件的所述第一层的至少一个第一子区域的第一电路图案的第一电路图案数据，其中所述至少一个第一子区域与所述第一层的所述多个管芯中的至少一个管芯相关并覆盖所述至少一个管芯；

b.检索表示与第二层的一个或多个特定特征的多个连接点相关的至少第二子区域的第二电路图案的第二电路图案数据，其中所述第二层是所述第一工件的一个或多个前面或后面的层和/或在将连接到所述第一工件的第二工件中的一个或多个层，且其中所述第一层的所述至少一个管芯的所述多个连接点中的至少一个被调适用于连接到所述第二层的一个或多个特定特征的连接点中的至少一个；

c.确定至少针对所述第一层的所述第一子区域调整所述第一电路图案所需的第一配合容差；

d.确定调整所述第一电路图案使得经调整的第一电路图案的连接点配合到表示所述第二层的所述一个或多个特定特征的至少一个第二电路图案的连接点所需的第二配合容差；

e.准备经调整的第一电路图案数据，其将所述经调整的第一电路图案

i.在所述所需的第一配合容差内配合到所述第一层的所述至少一个第一子区域；以及

ii.在所述第二配合容差内配合到表示到所述至少一个第二电路图案的所述一个或多个特定特征的连接点中的至少一个的所述至少一个第一子区域的所述第一电路图案的所述至少一个管芯的连接点中的至少一个；

f.根据所述经调整的第一电路图案数据将图案写在所述第一工件上。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过将所述第一图案数据的连接点图案变换到具有覆盖所述所需的第二配合容差的位置和表面区域的经调整的连接点图案来准备所述经调整的第一电路图案数据。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述经调整的连接点图案的位置是在所述第一电路图案的原始电路图案数据中的连接点图案的标称位置。

4.如权利要求2或3中任一项所述的方法，其中所述经调整的连接点图案每个具有位置和表面区域，在所述位置和表面区域内，所有的点具有小于所需的配合容差的与理想位置的距离。

5.如权利要求2到4中任一项所述的方法，其中所述第二层的所述特定特征中的至少一些表示以触点、通孔、触头、线或管芯之一的形式或与触点、通孔、触头、线或管芯之一相关的接触点。

6.如权利要求1到5中任一项所述的方法，其还包括首先确定用于使经调整的连接点配合到所述第一电路图案中的所述管芯的连接点的所需的配合容差的步骤。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二层在同一第一工件上或在将连接到堆栈中的所述第一工件的第二工件上或对所述第二工件以前已形成或将随后形成。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述所需的配合容差被确定为当图案对准时覆盖所述第一电路图案的所述连接点的投影和所述至少一个第二电路图案的所述连接点的投影的位置和/或表面区域。

9.如权利要求1到7中任一项所述的方法，其中通过将所述图案和所述层变换到公共平面并基于在所述公共平面中的理想图案数据和经调整的图案数据之间的距离计算所述所需的配合容差来确定所述所需的配合容差。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述所需的配合容差是离理想位置的小于50μm的距离。

11.如权利要求1到10中任一项所述的方法，其中所述所需的配合容差是离理想位置的小于5-8μm的距离。

12.如权利要求1到11中任一项所述的方法，其中所述所需的配合容差是离理想位置的小于1μm的距离。

13.如权利要求1到12中任一项所述的方法，其中所述至少一个第二电路图案数据是所述第一电路图案数据的子集。

14.如权利要求1到12中任一项所述的方法，其中所述至少一个第二电路图案表示与由所述第一电路图案所表示的区域完全分离的区域。