[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置

权利要求书

1.一种热辅助磁记录介质，其特征在于，在具有基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L1₀结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、CeO₂、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。

2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其中，以MgO为主成分的基底层中所含有的氧化物的量，基于基底层整体在2摩尔%~40摩尔%的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其中，以MgO为主成分的基底层，形成于由Cr构成的层、或者由以Cr为主成分的、具有BCC结构的Cr合金构成的基底层上。

4.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其中，以MgO为主成分的基底层，形成于Ta基底层上。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的热辅助磁记录介质，其中，以MgO为主成分的基底层的平均粒径为10nm以下。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的热辅助磁记录介质，其中，磁性层以具有L1₀结构的FePt或CoPt合金为主成分，并且含有选自SiO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、CeO₂、MnO、TiO、ZnO、C中的至少一种氧化物或元素。

7.根据权利要求6所述的热辅助磁记录介质，其中，磁性层中所含有的氧化物的量，基于磁性层整体在10摩尔%~40摩尔%的范围内。

8.根据权利要求6所述的热辅助磁记录介质，其中，磁性层中所含有的C的量，基于磁性层整体在10原子%~70原子%的范围内。

9.一种磁存储装置，其特征在于，在由磁记录介质；用于使该磁记录介质旋转的驱动部；磁头，其具有用于加热该磁记录介质的激光发生部、将从该激光发生部发生的激光引导到磁头前端的波导和安装于磁头前端的近场光发生部；用于使该磁头移动的驱动部；和记录再生信号处理系统构成的磁存储装置中，所说的磁记录介质是权利要求1~8的任一项所述的热辅助介质。