[发明专利]电力存储装置和用于制造电力存储装置的方法有效
| 申请号： | 201180016317.9 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102823036A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 汤川干央;森若圭惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;C01B25/45;H01M4/136;H01M4/1397 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电力 存储 装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种电力存储装置，包括：
负电极；以及
正电极，以与所述负电极之间设置有电解质的方式面对所述负电极，
其中，所述正电极包括集电极以及包含形成于所述集电极之上的活性物质的膜，
所述膜与所述电解质接触，并且
所述活性物质包括包含Fe（II）的磷酸铁锂和包含Fe（III）的磷酸铁锂。
2.根据权利要求1所述的电力存储装置，
其中，与所述电解质接触的所述膜的区域具有LiaFebPcOd的组成，并且
关系3.5 ≤ d/c ≤ 4.5，0.6 ≤ c/b ≤ 1.8和0.7 ≤ a/b ≤ 2.8是满足的。
3.根据权利要求1所述的电力存储装置，其中，
所述包含Fe（II）的磷酸铁锂具有非晶结构。
4.根据权利要求1所述的电力存储装置，其中，
所述包含Fe（III）的磷酸铁锂具有非晶结构。
5.根据权利要求1所述的电力存储装置，其中，
所述包含Fe（II）的磷酸铁锂具有橄榄石结构。
6.根据权利要求1所述的电力存储装置，其中，
所述包含Fe（III）的磷酸铁锂具有NASICON结构。
7.一种电力存储装置，包括：
负电极；以及
正电极，以与所述负电极之间设置有电解质的方式面对所述负电极，
其中，所述正电极包括集电极和包含形成于所述集电极之上的活性物质的膜，
所述膜与所述电解质接触，
所述活性物质包括第一活性物质和第二活性物质，
所述第一活性物质具有满足关系3.5 ≤ h/g ≤ 4.5、0.6 ≤ g/f ≤ 1.1和0 ≤ e/f ≤ 1.3的LieFefPgOh的组成，并且
所述第二活性物质具有满足关系3.5 ≤ d/c ≤ 4.5、0.6 ≤ c/b ≤ 1.8和0.7 ≤ a/b ≤ 2.8的LiaFebPcOd的组成。
8.根据权利要求7所述的电力存储装置，其中，
与所述电解质接触的所述膜的区域，具有满足关系3.5 ≤ d/c ≤ 4.5、0.6 ≤ c/b ≤ 1.8和0.7 ≤ a/b ≤ 2.8的LiaFebPcOd的组成。
9.根据权利要求7所述的电力存储装置，其中，
所述第一活性物质具有非晶结构。
10.根据权利要求7所述的电力存储装置，其中，
所述第二活性物质具有非晶结构。
11.根据权利要求7所述的电力存储装置，其中，
所述第一活性物质具有橄榄石结构。
12.根据权利要求7所述的电力存储装置，其中，
所述第二活性物质具有NASICON结构。
13.电力存储装置包括：
负电极；以及
正电极，以与所述负电极之间设置有电解质的方式面对所述负电极，
其中，所述正电极包括：
集电极；
在所述集电极之上的第一膜，所述第一膜包含第一活性物质；以及
在所述第一膜之上并且与所述电解质接触的第二膜，所述第二膜包含第二活性物质，
其中，所述第一活性物质为包含Fe（II）的磷酸铁锂，以及
所述第二活性物质为包含Fe（III）的磷酸铁锂。
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