[发明专利]使用纯化过的氟制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造电子器件的方法，包括至少在现场电解地制造元素氟的步骤以及至少一个选自下组的步骤，该组为：使用元素氟作为蚀刻剂在室中蚀刻物品以及使用元素氟作为室清洁剂来清洁室的步骤，其中在其制造之后、并且在其用于进行蚀刻或室清洁的施用之前使该元素氟在高于环境压力的压力下经受低温处理以除去至少一部分的夹带的氟化氢。

2.如权利要求1所述的方法，其中在该处理过程中的压力等于或大于1.5巴绝对值。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中在该处理过程中的压力等于或小于20巴绝对值。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中这些电子器件选自下组，该组的构成为：半导体、光电池、MEMS、以及TFT。

5.如权利要求4所述的用于制造光电池的方法，其中该压力在1.5至4.5Bara的范围内。

6.如权利要求4所述的用于制造TFT的方法，其中该压力在4.5至11Bara的范围内。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中将该元素氟在该低温处理中冷却到等于或小于-50℃的温度。

8.如权利要求8所述的方法，其中将该元素氟在该低温处理中冷却到等于或小于-60℃的温度。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中使该元素氟另外经受至少一个吸附步骤、至少一个吸收步骤和/或至少一个蒸馏步骤。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中该元素氟是在KF的熔融HF加合物作为电解质盐的存在下通过HF的电解而生产的。

11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中元素氟是在发生器中生产的，并且用于元素氟的该发生器与该室是流体连通的。

12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中该蚀刻室和/或有待清洁的室是热致的或等离子体辅助的室。

13.如权利要求1所述的方法，其中该清洁是热致地或等离子体辅助地进行的。

14.如权利要求1至13中任一项所述的方法，其中该氟是在盒中制造的。

15.如权利要求1至13中任一项所述的方法，其中该氟是在滑橇中制造的。