[发明专利]用于减少颗粒的真空限束孔清洁

权利要求书

1.一种用于减小离子注入系统中的颗粒污染的方法，所述方法包括：

提供离子注入系统，所述离子注入系统具有离子源、位于质量分析器的出口附近的解析孔、位于解析孔的下游的减速抑制板，以及构造成在离子注入工件期间支撑工件的终端站；

通过离子源形成离子束；

施加减速抑制电压到减速抑制板，其中选择性地从离子束剥离电子并聚焦离子束；

在终端站和外部环境之间转移工件；及

大致在工件转移的同时调制减速抑制电压，其中扩张和收缩离子束的高度及/或宽度，其中解析孔的一个或多个表面被扩张和收缩的离子束冲击，其中大致减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或多个表面上而造成的以后对工件的污染。

2.根据权利要求1所述的方法，其中减速抑制电压同时影响从离子束移除电子以及对离子束的聚焦，其中调制减速抑制电压对离子束的影响导致在减速抑制电压的范围上净调制离子束的高度及/或宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压包括在零伏和操作抑制电压之间改变所述减速抑制电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压包括周期地改变减速抑制电压一个或多个周期。

5.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压大致不影响解析孔上游的离子束。

6.根据权利要求1所述的方法，其中至少解析孔的所述一个或多个表面包括可选择解析孔的至少前表面和侧表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在终端站和外部环境之间转移工件用小于大约3秒的时间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中离子注入系统还包括等离子体电子洪流围绕物或等离子体电子流围绕物，其中等离子体电子洪流围绕物的至少一个或多个表面受到扩张和收缩的离子束的冲击，其中大致移除残留在其上的之前沉积的物质。

9.根据权利要求8所述的方法，其中之前沉积的物质通过等离子体电子洪流围绕物中的一个或多个开口掉落。

10.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压大致从所述一个或多个表面移除所述之前沉积的物质。

11.根据权利要求1所述的方法，其中调制减速抑制电压大致增强所述之前沉积的物质对所述一个或多个表面的附着或附着力。

12.一种用于减小在离子注入系统中的颗粒污染的方法，所述方法包括：

提供离子注入系统，所述离子注入系统具有离子源、质量分析器、位于质量分析器的出口附近的解析孔、位于解析孔的下游的减速抑制板，以及终端站；

通过离子源形成离子束；

从外部环境转移工件到终端站中；

施加减速抑制电压到减速抑制板，其中在离子束冲击工件之前大致从离子束剥离电子；

将来自离子束的被减速的离子注入到工件中；

将工件从终端站转移到外部环境；及

在工件移入和移出终端站的同时调制减速抑制电压，其中使离子束扩张和收缩，其中解析孔及/或解析孔下游的一个或多个部件的一个或多个表面被扩张和收缩的离子束冲击，其中大致减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或多个表面上而造成的以后对工件的污染。

13.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压包括在零伏和操作抑制电压之间改变所述减速抑制电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压包括周期地改变减速抑制电压一个或多个周期。

15.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压大致从所述一个或多个表面移除所述之前沉积的物质。

16.根据权利要求12所述的方法，其中调制减速抑制电压大致增强之前沉积的物质对所述一个或多个表面的附着或附着力。

17.根据权利要求12所述的方法，其中在终端站和外部环境之间转移工件用小于大约3秒的时间。

18.根据权利要求12所述的方法，其中在解析孔下游的所述一个或多个部件包括等离子体电子洪流围绕物，其中等离子体电子洪流围绕物的至少一个或多个表面受到扩张和收缩的离子束的冲击，其中大致移除残留在其上的之前沉积的物质。